功率(Pd) | 80W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 445pF@10V |
商品分類 | 場效應管(MOSFET) | 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@4.5V,20A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 55nC@10V |
漏源電壓(Vdss) | 19V | 類型 | 1個P溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 3.5nF@10V | 連續漏極電流(Id) | 45A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
NCE20P45Q是一款高性能的P溝道場效應管(MOSFET),由新潔能(NCE)公司生產,專為需要高功率和高電流應用而設計。它的額定功率為80W,工作電壓范圍為19V,最大持續電流可達45A,清晰地顯示出其在高負載條件下的優越性能。NCE20P45Q的封裝采用DFN-8(3.3x3.3mm),具備緊湊的尺寸和出色的散熱性能,非常適合高密度電路板(PCB)設計。
強大的電流承載能力: NCE20P45Q能夠持續承載高達45A的電流,這使得它在許多高功率應用中表現卓越,包括電源軌、驅動電路、電機控制或者其他需要高電流的場景。
較高的功率損耗能力: 該器件的最大功率規格為80W,意味著它能夠在相對較高的功率條件下穩定工作,降低了額外的熱管理需求。
寬電壓范圍: 工作電壓高達19V,適用范圍廣泛,能夠滿足不同電源需求,提高了電路設計的靈活性。
低柵極電阻: 該MOSFET的低柵極電阻特性能夠有效降低驅動損耗,提高開關效率,尤其在高速開關應用中表現出色。
優良的散熱性能: DFN-8(3.3x3.3mm)封裝不僅體積小,而且具有良好的導熱性,使得器件在高功率工作狀態下能夠有效散熱,提升其壽命和可靠性。
高可靠性: 作為一款半導體產品,NCE20P45Q經過嚴格的電性測試,具備良好的耐壓特性和熱穩定性,能夠承受嚴苛的工作環境。
NCE20P45Q適用于廣泛的應用場合,包括:
電源管理: 作為電源轉換器、DC-DC轉換器中的開關元件,有效地提升能效并降低能耗。
電動機驅動: 適用于電動機的控制電路,如步進電機和直流電機,為其提供穩定可靠的電力支持。
LED驅動: 可用于LED燈具的驅動,確保其工作穩定,并提供足夠的電流以滿足高亮度需求。
消費電子: 在手機、平板電腦等消費電子產品中,優化電源分配,延長電池續航時間。
NCE20P45Q作為一款高效、可靠的P溝道MOSFET,在高功率和高電流應用中展現了其卓越的性能,其緊湊的DFN-8封裝設計不僅大大節省了空間,也為工程師在電路設計時提供了靈活性。憑借耐用的材料和優越的散熱特性,NCE20P45Q能夠滿足現代電子設備對功率管理的嚴苛要求,是各種電源和驅動應用的理想選擇。對于追求性能與效率的工程師,NCE20P45Q無疑是值得信賴的電子元器件。