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NCE20P45Q 產品實物圖片
NCE20P45Q 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

NCE20P45Q

商品編碼: BM0212456855
品牌?:?
NCE(新潔能)
封裝?:?
DFN-8(3.3x3.3)
包裝?:?
-
重量?:?
-
描述?:?
場效應管(MOSFET) 80W 19V 45A 1個P溝道 DFN-8(3.3x3.3)
庫存 :
22068(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數量 :
X
0.74
按整 :
卷(1卷有5000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥0.74
--
100+
¥0.738
--
1250+
¥0.735
--
50000+
產品參數
產品手冊
產品概述

NCE20P45Q參數

功率(Pd)80W反向傳輸電容(Crss@Vds)445pF@10V
商品分類場效應管(MOSFET)導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)7mΩ@4.5V,20A
工作溫度-55℃~+150℃柵極電荷(Qg@Vgs)55nC@10V
漏源電壓(Vdss)19V類型1個P溝道
輸入電容(Ciss@Vds)3.5nF@10V連續漏極電流(Id)45A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)400mV@250uA

NCE20P45Q手冊

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無數據

NCE20P45Q概述

NCE20P45Q 產品概述

概述

NCE20P45Q是一款高性能的P溝道場效應管(MOSFET),由新潔能(NCE)公司生產,專為需要高功率和高電流應用而設計。它的額定功率為80W,工作電壓范圍為19V,最大持續電流可達45A,清晰地顯示出其在高負載條件下的優越性能。NCE20P45Q的封裝采用DFN-8(3.3x3.3mm),具備緊湊的尺寸和出色的散熱性能,非常適合高密度電路板(PCB)設計。

關鍵特性

  1. 強大的電流承載能力: NCE20P45Q能夠持續承載高達45A的電流,這使得它在許多高功率應用中表現卓越,包括電源軌、驅動電路、電機控制或者其他需要高電流的場景。

  2. 較高的功率損耗能力: 該器件的最大功率規格為80W,意味著它能夠在相對較高的功率條件下穩定工作,降低了額外的熱管理需求。

  3. 寬電壓范圍: 工作電壓高達19V,適用范圍廣泛,能夠滿足不同電源需求,提高了電路設計的靈活性。

  4. 低柵極電阻: 該MOSFET的低柵極電阻特性能夠有效降低驅動損耗,提高開關效率,尤其在高速開關應用中表現出色。

  5. 優良的散熱性能: DFN-8(3.3x3.3mm)封裝不僅體積小,而且具有良好的導熱性,使得器件在高功率工作狀態下能夠有效散熱,提升其壽命和可靠性。

  6. 高可靠性: 作為一款半導體產品,NCE20P45Q經過嚴格的電性測試,具備良好的耐壓特性和熱穩定性,能夠承受嚴苛的工作環境。

應用領域

NCE20P45Q適用于廣泛的應用場合,包括:

  • 電源管理: 作為電源轉換器、DC-DC轉換器中的開關元件,有效地提升能效并降低能耗。

  • 電動機驅動: 適用于電動機的控制電路,如步進電機和直流電機,為其提供穩定可靠的電力支持。

  • LED驅動: 可用于LED燈具的驅動,確保其工作穩定,并提供足夠的電流以滿足高亮度需求。

  • 消費電子: 在手機、平板電腦等消費電子產品中,優化電源分配,延長電池續航時間。

性能參數

  • 最大額定電壓(Vds):19V
  • 最大額定電流(Id):45A
  • 功率耗散(Pd):80W
  • 封裝類型:DFN-8(3.3x3.3mm)

總結

NCE20P45Q作為一款高效、可靠的P溝道MOSFET,在高功率和高電流應用中展現了其卓越的性能,其緊湊的DFN-8封裝設計不僅大大節省了空間,也為工程師在電路設計時提供了靈活性。憑借耐用的材料和優越的散熱特性,NCE20P45Q能夠滿足現代電子設備對功率管理的嚴苛要求,是各種電源和驅動應用的理想選擇。對于追求性能與效率的工程師,NCE20P45Q無疑是值得信賴的電子元器件。