注：圖像僅供參考，請參閱產品規格
產品參數
產品手冊
產品概述
HSBB6115參數
| 功率(Pd) | 5.2W | 商品分類 | 場效應管(MOSFET) |
| 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V,10A | 漏源電壓(Vdss) | 60V |
| 類型 | 1個P溝道 | 連續漏極電流(Id) | 26A |
| 閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
HSBB6115手冊
無數據
HSBB6115概述
產品概述：HSBB6115 MOSFET
基本信息
HSBB6115是一款高性能的P溝道場效應管(MOSFET)，屬于華朔（HUASHUO）品牌。該MOSFET具有5.2W的功率處理能力、最高60V的漏源電壓和26A的漏電流，采用了緊湊的DFN-8(3x3)封裝。這些特性使得HSBB6115非常適合用于高效能的電源管理和開關控制應用。
主要參數
- 類型: P溝道場效應管
- 功率處理: 5.2W
- 最大漏源電壓 (V_DS): 60V
- 最大漏電流 (I_D): 26A
- 封裝類型: DFN-8 (3x3)
- 工作溫度范圍: 通常為-55°C至150°C（具體需參考數據手冊）
特性與優勢
高效能: HSBB6115的額定功率和電流使得在大功率應用中能有效降低能量損耗，提高整個電路的工作效率。
緊湊設計: DFN-8 (3x3)封裝的設計使得HSBB6115能夠在小型化電路中節省空間，適合現代電子設備的集成需求。
優良的熱管理: 該MOSFET的熱阻較低，能夠在較高工作負載下有效散熱，確保器件的長期穩定性和可靠性。
快速開關特性: 作為MOSFET，HSBB6115具備較快的開關速度，有助于提升電路的響應時間，適用于高頻開關應用。
強大的抗電壓能力: 具備60V的漏源電壓可供選擇，滿足多種應用場景中對電壓極限的要求。
應用場景
HSBB6115適用于多個領域，包括但不限于：
- 電源管理: 在開關電源（SMPS）、DC-DC轉換器、以及各種電壓管理電路中，HSBB6115可以作為開關控制元件。
- 電動機驅動: 適用于電動機的方向控制與啟動，尤其是在需要反向驅動的場合。
- 家用電器: 各類家電產品中，HSBB6115可以用于功率開關，提高產品能效和安全性。
- 汽車電子: 在汽車應用中，可以用于節能控制、自動啟停、或動力分配等。
- LED驅動電路: 用于高效能LED照明中的驅動電路控制和調光應用。
結論
綜上所述，HSBB6115是一款極具競爭力的P溝道MOSFET，憑借其優良的電氣性能、緊湊的封裝設計和廣泛的應用前景，成為了電源管理和開關控制領域中的理想選擇。其在高效能和可靠性方面的表現，使其在現代電子產品設計中愈加重要。隨著電子技術的進步以及市場需求的提升，HSBB6115將會在更多的應用場景中發揮重要作用。建議在設計時參考器件的數據手冊，以確保在特定應用中的最佳性能表現。