功率(Pd) | 360mW | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 5pF@5V |
商品分類 | 場效應管(MOSFET) | 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10Ω@5V,100mA |
漏源電壓(Vdss) | 50V | 類型 | 1個P溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 30pF@5V | 連續漏極電流(Id) | 130mA |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 2V@1mA |
BSS84 是一款適用于多種電子應用的 P 溝道金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。其在較廣泛的電壓和電流條件下表現出色,尤其適合于開關應用、線性放大及電源管理等領域。此產品由知名電子元器件生產商 SHIKUES(時科)制造,具有極優的可靠性和性能。
高可靠性:BSS84 采用 SOT-23 封裝,具有緊湊的設計及良好的熱管理能力,適應各種工作環境。
高效率:該場效應管具有較低的導通電阻(Rds(on)),使其在開關操作中產生的功率損耗顯著降低,從而提升整體系統效率。
良好的開關性能:得益于 MOSFET 的特性,其在開關操作時具有快速的開關速度,適合用于高速開關應用。
寬廣的應用場景:該元件廣泛應用于電源開關、驅動電路、信號開關等,同時也適合于電池供電的設備與低功耗設計。
BSS84 作為一種 P 溝道 MOSFET,其工作原理基于電場效應的基本原理。通過在柵極施加負電壓,MOSFET 處于導通狀態,使得源極和漏極之間的電流可以自由流動;反之,當柵極電壓為 0 或正電壓時,場效應管進入截止狀態,阻止電流流過。這種特性使其在電源控制及自動化開關應用中尤為重要。
散熱管理:在設計電路時,須考慮散熱問題,尤其是在大電流下運行時,應采取有效的散熱措施,以保證 MOSFET 的可靠性。
電源電壓:確保所使用的供電電壓不超過額定最大值 50V,否則可能導致 MOSFET 損壞。
驅動電壓:控制柵極的信號電壓需設計合理,一般應為負電壓,以便 MOSFET 順利導通。
PCB 布線:在 PCB 設計中,需關注漏極和源極的布線寬度,以確保承載足夠的電流。
BSS84 是一款性能卓越、用途廣泛的 P 溝道 MOSFET。憑借其合適的功率和電流規格,優秀的開關性能及高可靠性,使其成為多種電子產品及系統中不可或缺的關鍵元件。無論是用于一般消費電子,還是工業自動化控制,更是電源管理的優選方案,推動著現代電子應用的發展。