功率(Pd) | 1.25W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 15pF |
商品分類 | 場效應(yīng)管(MOSFET) | 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,2.5A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 3.9nC@27V |
漏源電壓(Vdss) | 60V | 類型 | 1個N溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 295pF@25V | 連續(xù)漏極電流(Id) | 2.5A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
產(chǎn)品概述:SI2308 N溝道MOSFET
SI2308 是一款優(yōu)質(zhì)的 N 溝道 MOSFET,專為高效能和高頻率的應(yīng)用而設(shè)計。該器件由華軒陽電子(HXY MOSFET)生產(chǎn),以其卓越的性能和可靠的工作參數(shù),在市場上贏得了廣泛的認(rèn)可。其封裝形式為 SOT-23,適合于空間受限的電子設(shè)備。
導(dǎo)通電阻(RDS(on)): SI2308 在 VGS = 10V、ID = 3A 的條件下,已經(jīng)達到最低 86mΩ 的導(dǎo)通電阻。這意味著在應(yīng)用過程中可以顯著降低功率損耗,提高效率,同時也減少了器件發(fā)熱。
最大漏源電壓(VDS): SI2308 的漏源擊穿電壓達到 60V,充分滿足了大多數(shù)中低壓應(yīng)用的需求,這使得它在汽車電子、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機控制和開關(guān)電源等領(lǐng)域均具備廣泛的應(yīng)用潛力。
最大漏電流(ID): 該MOSFET能夠承受最大 3A 的漏電流,適用于大多數(shù)常見的應(yīng)用場景,滿足了對電流傳輸?shù)男枨蟆?/p>
SI2308 的設(shè)計使其適用于多個領(lǐng)域,尤其是在以下幾種應(yīng)用中表現(xiàn)出色:
開關(guān)電源: 由于其低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力,SI2308 可以有效地用作開關(guān)電源中的開關(guān)元件,提升系統(tǒng)的整體效率。
電機驅(qū)動: 該MOSFET的高承載能力使其適合于電機控制電路,能夠確保快速的開關(guān)響應(yīng),從而實現(xiàn)高效的電機驅(qū)動。
負(fù)載開關(guān): SI2308 可以作為負(fù)載開關(guān)使用,在需要控制大功率負(fù)載的應(yīng)用中,為系統(tǒng)提供優(yōu)良的導(dǎo)通性能。
LED驅(qū)動器: 在LED驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET能夠高效地控制LED的亮度,提供均勻的光輸出,并降低功耗。
通信設(shè)備: 在各種通信基礎(chǔ)設(shè)施,如基站和數(shù)據(jù)中心的電源管理中,SI2308 的性能能夠提升數(shù)據(jù)中心的運作效率,實現(xiàn)更高的性能輸出。
SI2308 采用 SOT-23 封裝,尺寸小巧,適合自動化裝配。其優(yōu)越的熱性能和電氣性能使得該器件在眾多小型電子設(shè)備中都能發(fā)揮出色的作用。此外,SOT-23 的封裝設(shè)計使得 SI2308 的生產(chǎn)和集成模塊化更加簡單,有利于縮短產(chǎn)品的上市時間。
高效率: SI2308 的低 RDS(on) 降低了開關(guān)損耗,從而提升了電源的整體效率,延長了設(shè)備的使用壽命。
長期穩(wěn)定性: 該MOSFET在各種溫度條件下的穩(wěn)定表現(xiàn),意味著用戶可以信賴其長期運行的穩(wěn)定性,為產(chǎn)品設(shè)計提供了更大的靈活性。
強大的兼容性: 它可以與多種驅(qū)動電路和控制器兼容,尤其適合于需要快速開關(guān)的應(yīng)用場合。
成本效益: 由于其高性能和適用范圍,SI2308 在提供卓越性能的同時,保持了良好的性價比,使其成為各類應(yīng)用中理想的選擇。
綜合以上特性,SI2308 N 溝道 MOSFET 以其出色的性能、廣泛的應(yīng)用潛力和穩(wěn)定的生產(chǎn)質(zhì)量,為電子設(shè)計提供了了一種強有力的解決方案。無論是在高頻開關(guān)電源、負(fù)載開關(guān)還是電機控制等領(lǐng)域,SI2308 都能夠滿足企業(yè)對高效率和可靠性的 stringent 需求,成為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計中不可或缺的關(guān)鍵元件。