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ESD5451N 產(chǎn)品實(shí)物圖片
ESD5451N 產(chǎn)品實(shí)物圖片
注:圖像僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格

ESD5451N

商品編碼: BM0219903679
品牌?:?
HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
封裝?:?
DFN1006-2L
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
-
庫(kù)存 :
4690(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數(shù)量 :
X
0.02332
按整 :
圓盤(pán)(1圓盤(pán)有10000個(gè))
合計(jì) :
¥0
梯度
內(nèi)地(含稅)
香港
1+
¥0.02332
--
500+
¥0.0231
--
5000+
¥0.02288
--
10000+
¥0.0227
--
100000+
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品手冊(cè)
產(chǎn)品概述

ESD5451N參數(shù)

擊穿電壓8V反向截止電壓(Vrwm)5V
商品分類(lèi)靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)峰值脈沖電流(Ipp)9A
最大鉗位電壓9.8V極性雙向
類(lèi)型ESD通道數(shù)單路

ESD5451N手冊(cè)

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無(wú)數(shù)據(jù)

ESD5451N概述

HXY ESD5451N MOSFET 產(chǎn)品概述

1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

HXY ESD5451N 是華軒陽(yáng)電子推出的一款高性能MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管),采用DFN1006-2L封裝,設(shè)計(jì)用于高頻開(kāi)關(guān)及功率控制應(yīng)用。該器件結(jié)合了較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)越的開(kāi)關(guān)特性,適用于各種電子設(shè)備的電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)及信號(hào)調(diào)理等場(chǎng)合。

2. 主要特性

  • 低導(dǎo)通電阻:ESD5451N具有極低的Rds(on)值,可以有效減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的功耗,提升系統(tǒng)效率,更適合于高負(fù)載條件下的應(yīng)用。
  • 高電流承載能力:該MOSFET能夠支持較大的持續(xù)電流,保證在高負(fù)載條件下依然可以穩(wěn)定工作。
  • 快速開(kāi)關(guān)特性:具備快速的開(kāi)關(guān)速度,能夠滿(mǎn)足高頻率開(kāi)關(guān)的需求,適用于開(kāi)關(guān)電源、LED驅(qū)動(dòng)電路等場(chǎng)合。
  • 溫度穩(wěn)定性:MOSFET在高溫環(huán)境下仍然能夠保持良好的性能,適合于要求苛刻的工業(yè)環(huán)境。
  • 兼容性:DFN1006-2L封裝具備良好的散熱性能和尺寸緊湊的特點(diǎn),易于與其他元器件集成在各種電子產(chǎn)品中。

3. 應(yīng)用場(chǎng)景

HXY ESD5451N廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,包括但不限于:

  • 電源管理:作為開(kāi)關(guān)元件,在DC-DC轉(zhuǎn)換器中控制電流的通斷,優(yōu)化電源效率。
  • 負(fù)載開(kāi)關(guān):用于各種電子設(shè)備中的負(fù)載控制,為用戶(hù)提供靈活的電源開(kāi)關(guān)解決方案。
  • LED驅(qū)動(dòng)電路:高效地控制LED燈的開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)調(diào)光和節(jié)能效果。
  • 智能家居:在智能設(shè)備中提供可靠的開(kāi)關(guān)控制,為家居電器提供便利的智能管理。
  • 工業(yè)自動(dòng)化:在機(jī)械控制中運(yùn)用MOSFET進(jìn)行信號(hào)調(diào)理和功率控制,提高設(shè)備的自動(dòng)化水平。

4. 參數(shù)規(guī)格

具體參數(shù)依據(jù)實(shí)際產(chǎn)品規(guī)格書(shū)(Datasheet)而定,但一般而言,ESD5451N的關(guān)鍵參數(shù)包括:

  • 最大漏極電壓 (Vds):可耐受一定范圍內(nèi)的高電壓。
  • 最大漏極電流 (Id):能夠承載的最大電流。
  • 導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):在特定電壓下的導(dǎo)通電阻,決定了功率損耗。
  • 開(kāi)關(guān)速度:包括開(kāi)關(guān)時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間等,影響整體系統(tǒng)的響應(yīng)速度。

5. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

在使用HXY ESD5451N時(shí),設(shè)計(jì)工程師需要考慮如下因素:

  • 散熱設(shè)計(jì):盡管DFN封裝有助于散熱,但在高負(fù)載應(yīng)用中,仍需確保散熱良好,以防過(guò)熱。
  • 驅(qū)動(dòng)電路:合理設(shè)計(jì)門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路,確保MOSFET可以在其性能范圍內(nèi)穩(wěn)定開(kāi)關(guān)。
  • 電路布局:注意布局設(shè)計(jì)以減少高頻信號(hào)中的干擾,保證MOSFET工作在安全范圍內(nèi)。

6. 結(jié)論

HXY ESD5451N MOSFET憑借其卓越的性能和多樣的應(yīng)用場(chǎng)景,是高頻開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用中的理想選擇。無(wú)論是在消費(fèi)電子、工業(yè)自動(dòng)化還是智能家居設(shè)備中,其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性以及緊湊的封裝設(shè)計(jì)都能夠幫助設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電源解決方案。通過(guò)合理的電路設(shè)計(jì)和散熱管理,HXY ESD5451N能夠?yàn)榭蛻?hù)在各種應(yīng)用中帶來(lái)超過(guò)預(yù)期的性能表現(xiàn)。