功率(Pd) | 1W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 80pF@10V |
商品分類 | 場效應(yīng)管(MOSFET) | 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@4.5V,3A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 60nC@4.5V |
漏源電壓(Vdss) | 20V | 類型 | 1個N溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 300pF@10V | 連續(xù)漏極電流(Id) | 3A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
SI2302是一款高性能的南京永久電子股份有限公司(YONGYUTAI)生產(chǎn)的N溝道金屬氧化物半導體場效應(yīng)管(MOSFET),它廣泛應(yīng)用于多種電子電路中,尤其在開關(guān)電源、直流電動機驅(qū)動和負載開關(guān)等場合表現(xiàn)出色。其優(yōu)秀的電氣特性和緊湊的SOT-23封裝使其成為小型化電路設(shè)計的理想選擇。
MOSFET是一種電壓控制的設(shè)備,其基本工作原理依賴于電場的作用。對于N溝道MOSFET,當門極(G)相對于源極(S)施加一定的正電壓時,漏極(D)與源極之間會形成導通通道,從而允許電流流動。SI2302特別適合于低電壓和中等電流的應(yīng)用,能夠有效地將電能從源頭傳輸至負載。
SI2302廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
在選用SI2302進行設(shè)計時,設(shè)計工程師需要重點關(guān)注其以下性能參數(shù):
在實際設(shè)計中,使用SI2302時需注意:
SI2302是一款兼具高性能與小型封裝的N溝道MOSFET,適合各種低功耗應(yīng)用場景。憑借其20V/3A的規(guī)格和良好的開關(guān)特性,該器件在當今現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。其在開關(guān)電源、電動機驅(qū)動、負載開關(guān)和LED驅(qū)動等多個領(lǐng)域的適用性使其成為設(shè)計工程師的熱門選擇。無論是消費電子還是工業(yè)控制,SI2302都能提供可靠的性能支持和有效的系統(tǒng)解決方案。