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IS61WV51216EDBLL-10TLI 產品實物圖片
IS61WV51216EDBLL-10TLI 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格數據手冊

IS61WV51216EDBLL-10TLI

商品編碼: BM0220929005
品牌?:?
ISSI(美國芯成)
封裝?:?
TSOPII-44-10.2mm
包裝?:?
托盤
重量?:?
-
描述?:?
IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2
庫存 :
5(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數量 :
X
42.23
按整 :
托盤(1托盤有135個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥42.23
--
10+
¥42.23
--
1350+
產品參數
產品手冊
產品概述

IS61WV51216EDBLL-10TLI參數

存儲器類型易失存儲器格式SRAM
技術SRAM - 異步存儲容量8Mb (512K x 16)
存儲器接口并聯寫周期時間 - 字,頁10ns
訪問時間10ns電壓 - 供電2.4V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C(TA)安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)供應商器件封裝44-TSOP II

IS61WV51216EDBLL-10TLI手冊

IS61WV51216EDBLL-10TLI概述

IS61WV51216EDBLL-10TLI 產品概述

1. 產品簡介

IS61WV51216EDBLL-10TLI是一款由ISSI(美國芯成)制造的高性能8Mb(512K x 16位)異步SRAM(靜態隨機存取存儲器)。該芯片采用表面貼裝型44-TSOP II封裝,專為快速存儲需求而設計,廣泛應用于移動設備、網絡設備、車載電子、工業控制等領域。

2. 基本特性

  • 存儲類型: 該存儲器為易失性存儲器,數據在電源關閉后會丟失。
  • 存儲容量: 8Mb,具體結構為512K x 16位,適合多種數據存儲需求。
  • 接口類型: 采用并聯接口,方便與其他電子元器件進行連接和數據傳輸。
  • 訪問時間和寫周期: 相對較短的訪問時間,10ns,寫周期時間也為10ns,使得數據讀取和寫入操作速度非常快,實現了高效率的數據處理能力。
  • 電壓供電范圍: 工作電壓為2.4V至3.6V,低功耗設計適合對電源要求較高的應用場景。
  • 工作溫度范圍: 廣泛的工作溫度范圍(-40°C至85°C),確保在各種嚴苛環境下的可靠性和穩定性。
  • 封裝規格: 封裝形式為44-TSOP II,尺寸為10.16mm寬,適合現代電子產品的緊湊設計。

3. 技術優勢

IS61WV51216EDBLL-10TLI采用異步存儲器技術,無需時鐘信號來控制讀寫操作,這意味著在實際應用中更為靈活。同時,由于其訪問時間與寫周期時間都相對較短,能夠有效提升系統的整體性能。這種高性能的特性,使得該存儲器在需要快速數據存儲和傳輸的場合表現出色,特別是在實時數據處理應用中。

4. 應用領域

IS61WV51216EDBLL-10TLI適用于多個領域及場景,包括但不限于:

  • 移動設備: 由于其快速的訪問時間和低功耗特性,常用于智能手機、平板電腦等移動通信設備中。
  • 網絡設備: 如路由器、交換機和其他網絡硬件中,該SRAM能夠提供快速緩存,支持數據包的快速轉發。
  • 工業控制: 在自動化設備和工業控制系統中,該存儲器能夠快速存儲和檢索控制指令,確保系統實時反饋。
  • 車載電子: 由于其寬廣的工作溫度范圍,適合在汽車電子設備中使用,如導航系統和車用穩定控制系統。

5. 結論

IS61WV51216EDBLL-10TLI是一個功能強大的存儲解決方案,其設計適應了當今電子產品對速度、功耗和可靠性的嚴格要求。憑借其高性能和廣泛的應用潛力,成為了設計師和工程師在選擇SRAM解決方案中的優選器件。無論是對于新產品開發,還是對現有系統的升級,其先進的規格和穩定的性能均能滿足各種需求,為產品的成功提供保障。