存儲器類型 | 易失 | 存儲器格式 | SRAM |
技術 | SRAM - 異步 | 存儲容量 | 8Mb (512K x 16) |
存儲器接口 | 并聯 | 寫周期時間 - 字,頁 | 10ns |
訪問時間 | 10ns | 電壓 - 供電 | 2.4V ~ 3.6V |
工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 寬) | 供應商器件封裝 | 44-TSOP II |
IS61WV51216EDBLL-10TLI是一款由ISSI(美國芯成)制造的高性能8Mb(512K x 16位)異步SRAM(靜態隨機存取存儲器)。該芯片采用表面貼裝型44-TSOP II封裝,專為快速存儲需求而設計,廣泛應用于移動設備、網絡設備、車載電子、工業控制等領域。
IS61WV51216EDBLL-10TLI采用異步存儲器技術,無需時鐘信號來控制讀寫操作,這意味著在實際應用中更為靈活。同時,由于其訪問時間與寫周期時間都相對較短,能夠有效提升系統的整體性能。這種高性能的特性,使得該存儲器在需要快速數據存儲和傳輸的場合表現出色,特別是在實時數據處理應用中。
IS61WV51216EDBLL-10TLI適用于多個領域及場景,包括但不限于:
IS61WV51216EDBLL-10TLI是一個功能強大的存儲解決方案,其設計適應了當今電子產品對速度、功耗和可靠性的嚴格要求。憑借其高性能和廣泛的應用潛力,成為了設計師和工程師在選擇SRAM解決方案中的優選器件。無論是對于新產品開發,還是對現有系統的升級,其先進的規格和穩定的性能均能滿足各種需求,為產品的成功提供保障。