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SGT50T65FD1PN 產(chǎn)品實物圖片
SGT50T65FD1PN 產(chǎn)品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格

SGT50T65FD1PN

商品編碼: BM0221187861
品牌?:?
SILAN(士蘭微)
封裝?:?
TO-3P-3
包裝?:?
管裝
重量?:?
-
描述?:?
-
庫存 :
8(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數(shù)量 :
X
6.53
按整 :
管(1管有600個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥6.53
--
10+
¥4.75
--
6000+
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品手冊
產(chǎn)品概述

SGT50T65FD1PN參數(shù)

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無數(shù)據(jù)

SGT50T65FD1PN手冊

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無數(shù)據(jù)

SGT50T65FD1PN概述

SGT50T65FD1PN 是士蘭微電子(Silan Microelectronics)推出的一款高性能功率 MOSFET(絕緣柵場效應晶體管),它采用 TO-3P-3 封裝,廣泛應用于各種電力轉換和控制電路中。以下是對該產(chǎn)品的詳細概述。

一、產(chǎn)品基本信息

品牌:士蘭微(Silan Microelectronics)
型號:SGT50T65FD1PN
封裝類型:TO-3P-3

二、關鍵參數(shù)

  1. 電壓規(guī)格

    • SGT50T65FD1PN 具有較高的額定漏極電壓,通常可以承受高達 650V 的電壓,這使其適用于高壓電源和逆變器電路。
  2. 電流規(guī)格

    • 該 MOSFET 最高的連續(xù)漏極電流通常可達 50A,適合在高負載條件下進行操作,確保了其在大功率應用中的穩(wěn)定性和可靠性。
  3. 開關特性

    • SGT50T65FD1PN 提供了極低的導通電阻(Rds(on)),通常在數(shù)十毫歐的范圍內。這意味著在開關狀態(tài)下能量損失較少,從而提高了系統(tǒng)的整體效率。
  4. 動態(tài)特性

    • 快速開關特性使得該 MOSFET 可以用于高頻率的開關電源設計,提升整體系統(tǒng)的響應速度。

三、應用領域

SGT50T65FD1PN 的設計使其適應于多種應用場景,包括但不限于:

  1. 開關電源(SMPS)

    • 在各類開關電源中,SGT50T65FD1PN 可有效提高效率,并降低功耗,特別是在電源管理領域表現(xiàn)突出。
  2. 電動機驅動

    • 用于馬達控制電路中,以提供平穩(wěn)的電流輸出,增強執(zhí)行器和驅動程序的性能。
  3. 逆變器

    • 在太陽能逆變器和其他應用中,SGT50T65FD1PN 可提供高效的電力轉換能力,是可再生能源系統(tǒng)中不可或缺的部分。
  4. 電池管理系統(tǒng)

    • 在電池充放電管理中,該 MOSFET 也可用于實現(xiàn)高效的電流控制和保護。

四、優(yōu)勢

  1. 高效率

    • 由于其低導通電阻和快速開關能力,該 MOSFET 能夠顯著降低開關損耗和導通損耗,從而提高整體電源效率。
  2. 熱性能

    • TO-3P-3 封裝設計不僅增強了散熱能力,還提高了產(chǎn)品的整體可靠性,使其在高溫環(huán)境下依然能夠良好運行。
  3. 可靠性

    • 一流的制造工藝確保了 MOSFET 的產(chǎn)品一致性和長期穩(wěn)定性,在各種環(huán)境條件下均能保持良好的性能。
  4. 廣泛范圍的適用性

    • 其高電壓和高電流能力使其能夠適用于多種行業(yè),從消費電子到工業(yè)設備均有應用。

五、總結

SGT50T65FD1PN 是士蘭微推出的一款強大的功率 MOSFET,憑借550V的高耐壓、50A的高電流和極低的導通電阻,其在開關電源、電動機驅動、逆變器及電池管理等領域具有廣泛的應用。該產(chǎn)品的高效率和良好的熱性能使其成為高功率電子設備中的理想選擇。無論是在新設備設計還是現(xiàn)有系統(tǒng)的改進中,SGT50T65FD1PN 都有著優(yōu)異的表現(xiàn)和可靠性,滿足不斷提高的市場需求。