存儲器類型 | 易失 | 存儲器格式 | DRAM |
技術 | SDRAM - DDR3L | 存儲容量 | 2Gb (256M x 8) |
存儲器接口 | 并聯 | 時鐘頻率 | 800MHz |
訪問時間 | 13.75ns | 電壓 - 供電 | 1.283V ~ 1.45V |
工作溫度 | -40°C ~ 95°C(TC) | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | 78-TFBGA | 供應商器件封裝 | 78-FBGA(8x10.5) |
MT41K256M8DA-125 IT:K是鎂光科技(Micron Technology)推出的一款高性能、低功耗的動態隨機存取存儲器(DRAM),屬于雙倍數據率同步動態隨機存儲器(DDR3L)類別。該器件采用78-FBGA(8x10.5)封裝,適合在各種嵌入式和移動應用中使用,如智能手機、平板電腦、消費電子和網絡設備等。
存儲器類型及格式: MT41K256M8DA-125 IT:K為易失性存儲器,采用DDR3L技術,具有較高的傳輸速率和較低的功耗,使其在現代電子產品中得到廣泛應用。
存儲容量: 該器件的存儲容量為2Gb(256M x 8),能夠有效滿足嵌入式系統對存儲空間的需求,并為多任務處理提供支持。
接口類型: 采用并聯接口設計,實現高速度的數據傳輸和更高的帶寬。
工作頻率: 該DRAM的時鐘頻率高達800MHz,意味著其在處理數據時能夠提供較快的響應速度,適合對延遲和帶寬有嚴格要求的應用。
訪問時間: MT41K256M8DA-125 IT:K的訪問時間為13.75ns,這使得其在高頻率下依然能夠保證較低的讀取延遲,是高性能系統設計中的理想選擇。
電源電壓: 功耗更為關鍵的情況下,該器件工作電壓范圍為1.283V至1.45V,符合DDR3L低電壓標準,有助于提升設備的整體能效,延長電池壽命。
工作溫度范圍: MT41K256M8DA-125 IT:K的工作溫度范圍為-40°C至95°C,確保在極端環境條件下也能穩定運行,適應多種工業和消費類應用的需要。
封裝形式: 采用78-TFBGA封裝,尺寸為8x10.5mm,使得該產品在板載空間有限的條件下,仍能提供優越的性能。
MT41K256M8DA-125 IT:K廣泛應用于各種電子產品中,特別是在需要優異性能和低功耗的移動設備及嵌入式系統中,包括但不限于:
智能手機和平板電腦: 隨著應用程序和操作系統的日益復雜,智能手機和平板電腦對存儲器的需求越來越高,而MT41K256M8DA-125 IT:K正好滿足這一需求。
消費電子產品: 如數字相機、智能家居設備及可穿戴技術等,要求高速數據處理和長時間的電池續航。
網絡設備: 網絡交換機和路由器等設備在數據處理時要求大內存,MT41K256M8DA-125 IT:K的高帶寬特性使其成為理想選擇。
工業應用: 由于其廣泛的工作溫度范圍和環境適應性,該器件還適用于各種工業設備和自動化系統中。
MT41K256M8DA-125 IT:K憑借其出色的性能、低功耗、高穩定性以及廣泛的應用性,成為現代電子產品設計的重要組成部分。作為鎂光的高品質產品,它不僅能滿足當前市場對存儲器的需求,更為未來技術的進步提供了強有力的支持。選擇MT41K256M8DA-125 IT:K,將為您的產品在激烈的市場競爭中增添一份有力的競爭優勢。