注：圖像僅供參考，請參閱產品規格數據手冊
IXFH46N65X2
品牌?:?
IXYS
封裝?:?
TO-247-3
包裝?:?
管裝
重量?:?
-
描述?:?
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
庫存 :
30(起訂量1,增量1)
批次 :
23+數量 :
X
19.76按整 :
管(1管有30個)
合計 :
￥0梯度
內地(含稅)
香港
1+
￥19.76
--
300+
產品參數
產品手冊
產品概述
IXFH46N65X2參數
| 制造商 | IXYS | 系列 | HiPerFET? |
| 包裝 | 管件 | 零件狀態 | 有源 |
| FET 類型 | N 通道 | 技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 46A（Tc） | 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 76 毫歐 @ 23A，10V | 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 4mA |
| Vgs（最大值） | ±30V | 功率耗散（最大值） | 660W（Tc） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安裝類型 | 通孔 |
| 供應商器件封裝 | TO-247 | 封裝/外殼 | TO-247-3 |
| 漏源電壓（Vdss） | 650V | 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值） | 75nC @ 10V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 4810pF @ 25V |
IXFH46N65X2手冊
IXFH46N65X2概述
IXFH46N65X2 產品概述
基本信息
IXFH46N65X2 是由 IXYS 制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，屬于 HiPerFET? 系列。該器件專為高電壓和高電流應用設計，具有出色的導通性能和熱管理能力。其適用范圍廣泛，從電源轉換到電動機控制，再到高頻開關應用等。
電子特性
電流性能
- 連續漏極電流 (Id): 在 25°C 的環境下，該 MOSFET 可以承載最高 46A 的連續漏極電流，這使其在高負載應用中表現出色。其高電流能力使得 IXFH46N65X2 非常適合在要求苛刻的環境中使用，如電源逆變器和電動機驅動。
電壓特性
- 漏源電壓 (Vdss): 該器件設計為承受最高 650V 的漏源電壓，這使得它可以安全地應用于高壓電路中，而不用擔心電壓超標造成的故障。
導通電阻 (Rds(on))
- 在 10V 的柵極驅動電壓下，IXFH46N65X2 的最大導通電阻為 76 毫歐，特別是在 23A 的電流下依然能夠保持較低的電阻。這一特性有助于減少功耗，提高效率，尤其在高頻和開關應用中至關重要。
開關速度
- 開關速度是電子元件性能的重要指標，該 MOSFET 的開關時間為 180ns，適合高頻開關應用。較快的開關速度能夠提高系統的工作效率，并減小開關損耗。
柵極驅動特性
- 柵極電荷 (Qg): 在 10V 的情況下，該器件的柵極電荷為 75nC，這表明在切換狀態時所需的驅動功率較小，從而簡化了驅動電路設計。
閾值電壓 (Vgs(th))
- 該器件的閾值電壓最大值為 5.5V/@4mA，適合與各種驅動電路兼容，確保了其在復雜電路中的可組成性。
功率耗散能力
- IXFH46N65X2 的最大功率耗散為 660W，使其在高負載條件下依然能夠穩定工作，而不會因熱量過高而造成損毀。寬廣的工作溫度范圍(-55°C ~ 150°C) 進一步提高了其在極端環境下的可靠性。
封裝形式與安裝
IXFH46N65X2 采用 TO-247-3 封裝，這種封裝形式不僅提供了良好的熱管理性能，還有助于增強電氣連接的可靠性。其通孔安裝類型使得在電路板上安裝變得簡單方便，適合多種工業應用。
應用領域
IXFH46N65X2 的特性使其成為以下應用的理想選擇：
- 開關電源: 在高頻開關電源設計中，由于其低導通電阻和高開關速度，能夠顯著提高電源的效率和穩定性。
- 電動機驅動器: 在電動機控制中，承載高電流的能力以及良好的熱管理能力，使其能夠有效控制電機的啟動、運行和停止。
- 逆變器: 在太陽能及其他可再生能源領域，適合用于逆變器電路中，提供高效的能源轉換。
- 工業自動化: 適合用于各種工業控制系統，尤其在需要快速開關的場合。
總結
綜合考慮 IXFH46N65X2 N 通道 MOSFET 的各項參數，該器件不僅能夠滿足高電壓和高電流應用的需求，還具備良好的熱管理和開關性能。無論是在電源管理、工業驅動還是高頻開關等領域，都擁有廣泛的應用潛力，是電子設計中值得考慮的重要元件。