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AO4407 產品實物圖片
AO4407 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

AO4407

商品編碼: BM0222743095
品牌?:?
ElecSuper(靜芯微)
封裝?:?
SOP-8
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
場效應管(MOSFET) 3.1W 30V 12A 1個P溝道 SOP-8
庫存 :
2400(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數量 :
X
0.606
按整 :
圓盤(1圓盤有3000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥0.606
--
200+
¥0.418
--
1500+
¥0.38
--
3000+
¥0.355
--
30000+
產品參數
產品手冊
產品概述

AO4407參數

功率(Pd)2W反向傳輸電容(Crss@Vds)200pF@15V
商品分類場效應管(MOSFET)導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.5mΩ@10V
工作溫度-55℃~+150℃柵極電荷(Qg@Vgs)46nC@10V
漏源電壓(Vdss)30V類型1個P溝道
輸入電容(Ciss@Vds)1.78nF@0V連續漏極電流(Id)10A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)2V@12A

AO4407手冊

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無數據

AO4407概述

AO4407 產品概述

一、產品簡介

AO4407是一種高性能的P溝道MOSFET,具有出色的電氣特性和高可靠性,在多種應用場景中都能提供卓越的性能。該器件能夠承受高達30V的漏極-源極電壓,并支持最大12A的漏極電流,適合用于功率管理、開關電源、直流-直流轉換器等多種電源轉換場合。此外,AO4407采用SOP-8封裝設計,能夠有效節省電路板空間,方便集成與安裝,適合需要高密度布置的電子設備。

二、技術規格

  • 類型: P溝道MOSFET
  • 漏極-源極電壓(Vds): 30V
  • 最大漏極電流(Id): 12A
  • 功耗(Pd): 3.1W
  • 封裝類型: SOP-8
  • 工作溫度范圍: -55°C 至 +150°C

三、工作原理

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種采用電場效應控制電流的半導體器件。P溝道MOSFET的主要特點是控制電流的方式與N溝道相反。當柵極電壓低于源極電壓時,P溝道MOSFET導通,允許電流從漏極流向源極。AO4407的設計優化了導通電阻(Rds(on)),使其在導通時具有低功耗和高效率,這一特性對于高頻和大電流應用尤為重要。

四、關鍵特性

  1. 低導通電阻: AO4407具有較低的導通電阻(Rds(on)),這在開關頻率高的應用下尤其重要,可以減少功耗并提高效率。

  2. 高耐壓能力: 此MOSFET設計承受高達30V的電壓,使其在多種電源電路中可靠運行。

  3. 高速開關特性: AO4407具備快速開關能力,特別適合于開關電源或其它需要頻繁開關操作的應用。

  4. 熱穩定性好: 該器件的最大工作溫度范圍從-55°C到+150°C,確保在極端環境下可靠運行。

五、應用場景

AO4407廣泛應用于以下領域:

  • 開關電源: 在開關電源電路中,MOSFET承擔著開關控制的重要角色,確保電源的高效性和穩定性。
  • 電機驅動: 可以用于直流電機驅動電路,為伺服電機或步進電機提供有效的開關控制。
  • 電池管理系統: 在電池充放電管理中,P溝道MOSFET可用于連接或斷開電池與負載的電路,確保電池的安全使用。
  • LED驅動電路: AO4407可以高效驅動LED燈具,調節亮度并延長使用壽命。

六、競爭優勢

與同類產品相比,AO4407在導通電阻、開關速度和熱穩定性等關鍵指標上均表現突出,此外其經濟高效的定價也為其在市場上贏得了良好的口碑。結合其廣泛的應用領域,AO4407成為了設計師和工程師們在選擇P溝道MOSFET時的優先考慮。

七、總結

AO4407無疑是現代電子設計中的一款重要元件,憑借其卓越的性能和多功能性,廣泛適用于各種高效電源和驅動應用。無論是在高效能的電源產品中,還是在復雜的控制系統中,AO4407都能發揮不可或缺的作用,為電路的穩定與高效運行提供支持。在設計電路時,選擇AO4407將為您的項目帶來顯著的性能提升和能效保障。