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2N7002T 產(chǎn)品實(shí)物圖片
2N7002T 產(chǎn)品實(shí)物圖片
注:圖像僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格數(shù)據(jù)手冊(cè)

2N7002T

商品編碼: BM0222743217
品牌?:?
ElecSuper(靜芯微)
封裝?:?
SOT-523
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 200mW 60V 300mA 1個(gè)N溝道 SOT-523
庫(kù)存 :
3000(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數(shù)量 :
X
0.445
按整 :
圓盤(1圓盤有3000個(gè))
合計(jì) :
¥0
梯度
內(nèi)地(含稅)
香港
1+
¥0.445
--
200+
¥0.148
--
1500+
¥0.0927
--
30000+
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品手冊(cè)
產(chǎn)品概述

2N7002T參數(shù)

功率(Pd)350mW反向傳輸電容(Crss@Vds)4pF@25V
商品分類場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.85Ω@10V,0.3A
工作溫度-55℃~+150℃柵極電荷(Qg@Vgs)1.8nC@4.5V
漏源電壓(Vdss)60V類型1個(gè)N溝道
輸入電容(Ciss@Vds)28pF@25V連續(xù)漏極電流(Id)300mA
閾值電壓(Vgs(th)@Id)1V@250uA

2N7002T手冊(cè)

2N7002T概述

2N7002T 產(chǎn)品概述

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2N7002T 是一種高性能的 N 溝道 MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管),在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 SOT-523 封裝中提供卓越的電氣性能與可靠性。該器件適用于開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用,尤其在低電流和高效能的電源管理中表現(xiàn)優(yōu)異。它的額定功率為 200 毫瓦(mW),最大耐壓達(dá)到 60 伏特(V),連續(xù)漏極電流能夠達(dá)到 300 毫安(mA),使得 2N7002T 在多種電子 circuit設(shè)計(jì)中成為理想選擇。

二、技術(shù)規(guī)格

  • 器件類型: N溝道 MOSFET
  • 封裝類型: SOT-523
  • 最大漏極-源電壓 (V_DS): 60V
  • 最大漏極電流 (I_D): 300mA
  • 功耗 (P_D): 200mW
  • 柵極-源閾值電壓 (V_GS(th)): 1V - 3V(典型值為 2V)
  • 輸入電容 (C_iss): 小于 50pF(典型值)
  • 導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)): ≤ 3Ω(在 V_GS = 10V 時(shí))

此MOSFET通過(guò)其優(yōu)秀的技術(shù)參數(shù),能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員在集成電路中提供高靈活性及低功耗方案。

三、主要特性

  1. 高效率: 2N7002T 的設(shè)計(jì)使其在開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)能夠保持低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on)),從而減少功耗并提高轉(zhuǎn)換效能。

  2. 寬可用性: 該器件可在多種電壓與電流條件下正常工作,適用于廣泛的電源管理和信號(hào)放大應(yīng)用。

  3. 小型化設(shè)計(jì): SOT-523 封裝使得 2N7002T 能夠在空間有限的電路板上使用,適合用于便攜式設(shè)備及消費(fèi)電子產(chǎn)品。

  4. 良好的熱穩(wěn)定性: 2N7002T的功率損耗設(shè)計(jì)顯著提高了其熱管理能力,能夠在較高環(huán)境溫度的條件下穩(wěn)定工作。

  5. 高頻操作: 該器件的輸入電容低,使得其適合用在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開(kāi)啟和關(guān)閉,并有效降低開(kāi)關(guān)損耗。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

2N7002T MOSFET 被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,主要包括:

  • 電源管理: 適用在DC-DC轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電源、線性穩(wěn)壓電源等場(chǎng)合,能夠有效控制電流流向。

  • 信號(hào)放大: 由于其高輸入阻抗及低輸出阻抗特性,2N7002T 常用于小信號(hào)放大電路及開(kāi)關(guān)電路。

  • 驅(qū)動(dòng)電路: 該元器件可用于驅(qū)動(dòng)繼電器、電機(jī)、LED等負(fù)載,通過(guò) MOSFET 以實(shí)現(xiàn)精確的控制。

  • 消費(fèi)電子產(chǎn)品: 如手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)等,2N7002T 在這些小型和高效率的設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。

五、使用建議

在使用 2N7002T 時(shí),需注意以下幾點(diǎn):

  • 散熱設(shè)計(jì): 盡管 2N7002T 在正常操作中發(fā)熱較少,但在高功率應(yīng)用中,應(yīng)設(shè)計(jì)合理的散熱措施以防止過(guò)熱。

  • 驅(qū)動(dòng)電壓: 確保 V_GS 在指定范圍內(nèi)工作以獲得最佳性能,過(guò)低的柵極電壓可能導(dǎo)致 MOSFET 無(wú)法完全導(dǎo)通。

  • 防靜電保護(hù): 在處理和焊接過(guò)程中應(yīng)注意防止靜電對(duì) MOSFET 的損害。

六、結(jié)論

2N7002T 是一款性價(jià)比高、性能優(yōu)越的小信號(hào) N 溝道 MOSFET,憑借其小型化封裝、高效能和可靠性,成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的元器件之一。隨著對(duì)低功耗和高效率設(shè)備需求的增加,2N7002T 將在電源管理、信號(hào)放大和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等領(lǐng)域繼續(xù)發(fā)揮重要作用。其在各類產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用證明了其在性能與經(jīng)濟(jì)性方面的卓越平衡,是電子工程師理想的設(shè)計(jì)選擇。