功率(Pd) | 350mW | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 4pF@25V |
商品分類 | 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) | 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.85Ω@10V,0.3A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 1.8nC@4.5V |
漏源電壓(Vdss) | 60V | 類型 | 1個(gè)N溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 28pF@25V | 連續(xù)漏極電流(Id) | 300mA |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
2N7002T 是一種高性能的 N 溝道 MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管),在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 SOT-523 封裝中提供卓越的電氣性能與可靠性。該器件適用于開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用,尤其在低電流和高效能的電源管理中表現(xiàn)優(yōu)異。它的額定功率為 200 毫瓦(mW),最大耐壓達(dá)到 60 伏特(V),連續(xù)漏極電流能夠達(dá)到 300 毫安(mA),使得 2N7002T 在多種電子 circuit設(shè)計(jì)中成為理想選擇。
此MOSFET通過(guò)其優(yōu)秀的技術(shù)參數(shù),能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員在集成電路中提供高靈活性及低功耗方案。
高效率: 2N7002T 的設(shè)計(jì)使其在開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)能夠保持低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on)),從而減少功耗并提高轉(zhuǎn)換效能。
寬可用性: 該器件可在多種電壓與電流條件下正常工作,適用于廣泛的電源管理和信號(hào)放大應(yīng)用。
小型化設(shè)計(jì): SOT-523 封裝使得 2N7002T 能夠在空間有限的電路板上使用,適合用于便攜式設(shè)備及消費(fèi)電子產(chǎn)品。
良好的熱穩(wěn)定性: 2N7002T的功率損耗設(shè)計(jì)顯著提高了其熱管理能力,能夠在較高環(huán)境溫度的條件下穩(wěn)定工作。
高頻操作: 該器件的輸入電容低,使得其適合用在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開(kāi)啟和關(guān)閉,并有效降低開(kāi)關(guān)損耗。
2N7002T MOSFET 被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,主要包括:
電源管理: 適用在DC-DC轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電源、線性穩(wěn)壓電源等場(chǎng)合,能夠有效控制電流流向。
信號(hào)放大: 由于其高輸入阻抗及低輸出阻抗特性,2N7002T 常用于小信號(hào)放大電路及開(kāi)關(guān)電路。
驅(qū)動(dòng)電路: 該元器件可用于驅(qū)動(dòng)繼電器、電機(jī)、LED等負(fù)載,通過(guò) MOSFET 以實(shí)現(xiàn)精確的控制。
消費(fèi)電子產(chǎn)品: 如手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)等,2N7002T 在這些小型和高效率的設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。
在使用 2N7002T 時(shí),需注意以下幾點(diǎn):
散熱設(shè)計(jì): 盡管 2N7002T 在正常操作中發(fā)熱較少,但在高功率應(yīng)用中,應(yīng)設(shè)計(jì)合理的散熱措施以防止過(guò)熱。
驅(qū)動(dòng)電壓: 確保 V_GS 在指定范圍內(nèi)工作以獲得最佳性能,過(guò)低的柵極電壓可能導(dǎo)致 MOSFET 無(wú)法完全導(dǎo)通。
防靜電保護(hù): 在處理和焊接過(guò)程中應(yīng)注意防止靜電對(duì) MOSFET 的損害。
2N7002T 是一款性價(jià)比高、性能優(yōu)越的小信號(hào) N 溝道 MOSFET,憑借其小型化封裝、高效能和可靠性,成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的元器件之一。隨著對(duì)低功耗和高效率設(shè)備需求的增加,2N7002T 將在電源管理、信號(hào)放大和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等領(lǐng)域繼續(xù)發(fā)揮重要作用。其在各類產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用證明了其在性能與經(jīng)濟(jì)性方面的卓越平衡,是電子工程師理想的設(shè)計(jì)選擇。