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AOTS21115C 產品實物圖片
AOTS21115C 產品實物圖片
AOTS21115C 特價
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注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

AOTS21115C

特價
商品編碼: BM0222748567
品牌?:?
AOS
封裝?:?
TSOP6
包裝?:?
編帶
重量?:?
1g
描述?:?
場效應管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1個P溝道 TSSOP-6
庫存 :
53029(起訂量1,增量1)
批次 :
兩年外
數量 :
X
0.5841
按整 :
圓盤(1圓盤有3000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥0.5841
--
200+
¥0.4023
--
1500+
¥0.3663
--
3000+
¥0.342
--
產品參數
產品手冊
產品概述

AOTS21115C參數

功率(Pd)1.6W反向傳輸電容(Crss@Vds)80pF@10V
商品分類場效應管(MOSFET)導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@6.6A,4.5V
工作溫度-55℃~+150℃@(Tj)柵極電荷(Qg@Vgs)17nC@4.5V
漏源電壓(Vdss)20V類型1個P溝道
輸入電容(Ciss@Vds)930pF@10V連續漏極電流(Id)6.6A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)150mV@250uA

AOTS21115C手冊

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無數據

AOTS21115C概述

AOTS21115C 產品概述

一、產品基本信息

AOTS21115C 是一款高性能的 P 型場效應管(MOSFET),適用于各種高效能電源管理和信號切換應用。該器件在封裝上采用了 TSSOP-6 封裝形式,具有典型的低直流電阻和品質優秀的開關特性,適合用于需要低功耗和高效率的電路設計中。其額定功率為 2.5W,最大耐壓為 20V,最大電流可達 6.6A。作為 AOS 品牌的一員,AOTS21115C 在市場上以其出色的性能和穩定的品質贏得了良好的聲譽。

二、主要特性

  1. 低導通電阻:AOTS21115C 的低 R_ds(on) 值使其在工作時的能量損耗降至最低,能夠有效提升電源的工作效率。這一特性在開關電源和 DC-DC 轉換器中顯得尤為重要,有助于延長設備的使用壽命。

  2. 高電流能力:這款 MOSFET 最高支持 6.6A 的連續工作電流,使其非常適合于大電流應用,如電機驅動、負載開關等場景。

  3. 寬工作溫度范圍:產品可在較寬的溫度范圍內工作,確保其在變化環境中保持穩定的性能,非常適合工業自動化、消費電子以及汽車電子等領域。

  4. 簡易驅動:MOSFET 的門極驅動電平相對較低,方便與微控制器或其他邏輯電平電路集成,提升整個系統的設計靈活性。

  5. 節省空間的封裝:TSSOP-6 小型封裝可以有效節省 PCB 空間,特別適合空間有限的應用場合,如便攜式設備和嵌入式系統。

三、應用領域

AOTS21115C 的高效性能和多功能特點使其在多種應用中表現出色:

  1. 電源管理:適用于開關電源、線性穩壓器和 DC-DC 轉換器等電源轉換和管理電路,能夠實現更高的電源效率。

  2. 電機驅動:在直流電機和步進電機的驅動應用中,該 MOSFET 能提供快速、可靠的開關控制,提升電動機的性能。

  3. 負載開關:廣泛用于負載控制電路,如電池供電設備的開關管理,能夠有效控制設備的通斷。

  4. 消費電子:例如 LED 驅動、音頻放大器等,助力提供更加高效和穩定的性能。

四、技術規格

  • 型號: AOTS21115C
  • 類型: P 型 MOSFET
  • 最大功耗: 2.5W
  • 最大漏源電壓 (V_ds): 20V
  • 最大漏電流 (I_d): 6.6A
  • 封裝類型: TSSOP-6
  • 材料: 硅(Silicon)

五、競爭優勢

AOTS21115C 在市場上有著顯著的競爭優勢。首先,其性能參數優越,特別是其低導通電阻和高電流能力,使其在多種高要求的場合中表現出色。此外,AOS 品牌的信譽為產品質量提供了強有力的保障,企業和設計者在選擇該元器件時可以放心。

由此,AOTS21115C 適合廣泛的電子設計項目,從高端專業應用到日常消費電子設備,均可以有效提升系統的整體性能,減少能耗,提高效率,最終為用戶提供更加出色的使用體驗。對于追求高效率與高可靠性的電路設計師而言,選擇 AOTS21115C 是一個明智的決策。