功率(Pd) | 250W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 63pF@25V |
商品分類 | 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) | 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.3mΩ@4.5V,50A |
工作溫度 | -55℃~+175℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 92nC@10V |
漏源電壓(Vdss) | 40V | 類型 | 1個(gè)N溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 5.87nF | 連續(xù)漏極電流(Id) | 320A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
HYG011N04LS1TA
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET)
華羿微電子(HUAYI)
TOLL(Transistor Outline Lead-Less)
HYG011N04LS1TA是一款高性能的N溝道MOSFET,適用于要求高電流和低電壓的場(chǎng)合。其主要特性包括:
高電流承載能力: 最大漏電流可達(dá)320A,能夠承受高負(fù)載電流,使得該元件在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
適中的電壓值: 額定漏源電壓為40V,使其適合在中低電壓環(huán)境中工作,降低了過(guò)壓風(fēng)險(xiǎn)。
低導(dǎo)通電阻(R_DS(on)): 該MOSFET的導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)有助于降低在導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗,提高整體電路的效率。
優(yōu)異的熱性能: 選用高導(dǎo)熱材料及合理的器件設(shè)計(jì),使得HYG011N04LS1TA在高功率應(yīng)用中的溫升保持在一個(gè)可接受的范圍內(nèi),確保了元器件的穩(wěn)定性和可靠性。
HYG011N04LS1TA的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于:
電源管理: 適用于開關(guān)電源、DC-DC變換器及逆變器等高頻開關(guān)電源的設(shè)計(jì),能夠有效控制電流,減少能量損耗。
電動(dòng)汽車: 在電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,HYG011N04LS1TA能夠作為功率開關(guān),用于電動(dòng)機(jī)控制及電池管理。
電池充電: 用于各種鋰電池充電器中,實(shí)現(xiàn)對(duì)充電過(guò)程的精確控制,保證充電效率與安全性。
工業(yè)自動(dòng)化: 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等領(lǐng)域,作為高功率開關(guān)組件,提供高效的電源轉(zhuǎn)換功能。
選擇HYG011N04LS1TA的理由包括但不限于:
高功率密度: 由于其設(shè)計(jì)的優(yōu)越性,能夠在較小的體積內(nèi)提供較高的功率輸出,便于減小整體產(chǎn)品的體積。
性價(jià)比: 該器件具備良好的性能與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,適合成本敏感型設(shè)計(jì)項(xiàng)目。
穩(wěn)定的性能: 經(jīng)多次實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,該產(chǎn)品在各種操作條件下表現(xiàn)出優(yōu)越的穩(wěn)定性與可靠性,有助于延長(zhǎng)整機(jī)的使用壽命。
總的來(lái)說(shuō),HYG011N04LS1TA是一款性能優(yōu)異、應(yīng)用廣泛的N溝道MOSFET,憑借其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻及適中的電壓范圍,成為電源管理、電動(dòng)汽車及工業(yè)自動(dòng)化等多個(gè)領(lǐng)域中不可或缺的關(guān)鍵元器件。無(wú)論是在設(shè)計(jì)新產(chǎn)品還是進(jìn)行系統(tǒng)升級(jí)時(shí),HYG011N04LS1TA都將為用戶提供卓越的解決方案,是追求高效率和可靠性的開發(fā)者的理想選擇。