HYG025N06LS1C2
HYG025N06LS1C2參數
| 功率(Pd) | 130W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 10.2pF |
| 商品分類 | 場效應管(MOSFET) | 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.1mΩ@10V |
| 工作溫度 | -55℃~+175℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 59.5nC@10V |
| 漏源電壓(Vdss) | 60V | 類型 | 1個N溝道 |
| 輸入電容(Ciss@Vds) | 3.915nF@0V | 連續漏極電流(Id) | 170A |
| 閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
HYG025N06LS1C2手冊
HYG025N06LS1C2概述
HYG025N06LS1C2 產品概述
產品名稱: HYG025N06LS1C2
類型: N溝道場效應管 (MOSFET)
品牌: HUAYI (華羿微)
封裝形式: PDFN5x6-8L
功率等級: 130W
電壓等級: 60V
電流等級: 170A
一、產品背景
在現代電子設備中，場效應管（MOSFET）作為一種重要的開關元件，廣泛應用于電源管理、功率放大、電子開關等多個領域。HYG025N06LS1C2是華羿微公司推出的一款高性能N溝道MOSFET，設計用于高效率的電源轉換和控制。憑借其優越的電氣特性和可靠的熱管理能力，這款MOSFET成為高功率應用的理想選擇。
二、主要特性
高性能: HYG025N06LS1C2具備高達170A的持續電流能力和130W的功耗等級，在60V的工作電壓下展現出卓越的性能。這使其能夠在要求嚴格的應用中有效工作，如電機驅動、電源轉換器等。
低導通電阻: 該MOSFET的低Rds(on)特性減小了導通損耗，提升了整體能效，并在開關頻率較高的應用中保持良好的熱穩定性。
優秀的熱管理: 其DFN-8(5.2x5.9)封裝設計有助于快速散熱，降低管體溫度，確保在高負載條件下的穩定工作。這一特性使得HYG025N06LS1C2在高溫環境中仍能保持可靠性。
高開關速度: HYG025N06LS1C2能夠以較快的速度從導通狀態切換至關斷狀態，適用于高頻開關電路，提升了整體系統性能。
兼容性強: 該產品的設計符合當前市場主流應用需求，能夠兼容多種電子電路設計，使其在不同的產品中有廣泛的應用空間。
三、應用領域
HYG025N06LS1C2作為一款高功率、高效率的MOSFET，適用于以下領域：
電源管理: 包括開關電源（SMPS）、DC-DC轉換器和線性電源，能夠提供穩定的電源輸出，廣泛應用于消費電子、工業設備及通訊設備中。
電機驅動: 適用于各種電機驅動電路，如無刷直流電機（BLDC）、步進電機驅動器，能夠實現高效能的馬達調速和控制。
汽車電子: 在電動車輛和傳統汽車中，該MOSFET可用于動力轉換、充電管理和能量回收系統，幫助提高能量利用效率。
可再生能源系統: 在太陽能逆變器和風能轉換系統中，HYG025N06LS1C2能夠有效提高電能轉換效率，幫助實現綠色能源應用。
四、總結
HYG025N06LS1C2 N溝道MOSFET憑借其卓越的電氣特性和良好的散熱管理，為各種高功率應用提供了可靠的解決方案。無論是在電源管理、電機驅動，還是在汽車及可再生能源系統中，這款MOSFET都能有效提升設備性能，推動電子技術的創新與發展。選擇HYG025N06LS1C2，您將獲得高效、穩定的電源解決方案，助力您的產品在競爭中脫穎而出。