功率(Pd) | 75W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 195pF@25V |
商品分類 | 場效應(yīng)管(MOSFET) | 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12.5mΩ@10V |
工作溫度 | -55℃~+175℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 91.5nC |
漏源電壓(Vdss) | 60V | 類型 | 1個P溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 4.882nF | 連續(xù)漏極電流(Id) | 55A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
HYG120P06LR1D是一款由華羿微(HUAYI)推出的高性能P溝道場效應(yīng)管(MOSFET),具有75W的功率處理能力,工作電壓高達60V,最大持續(xù)電流可達到55A。該器件采用TO-252(又名DPAK)封裝,旨在滿足電源管理、負載開關(guān)和高效率開關(guān)電源的各種應(yīng)用需求。
高功率與高電壓: HYG120P06LR1D的75W功率能力和60V的耐壓特性,使其能夠在多種高壓電源電路中穩(wěn)定工作,適用于開關(guān)電源、LED驅(qū)動和馬達控制等場合。
高電流承載能力: 該器件的55A最大持續(xù)電流使其在高負載應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠處理較大的電流而不導(dǎo)致過熱,從而提升系統(tǒng)的可靠性。
P溝道設(shè)計: 作為P溝道MOSFET,HYG120P06LR1D適用于負載開關(guān)的場景,可以在低電平控制實現(xiàn)大電流的導(dǎo)通,從而降低控制信號的復(fù)雜性。
優(yōu)異的開關(guān)性能: 該器件具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)時,內(nèi)部功率損耗較小,效率更高,進而提升系統(tǒng)整體性能,降低能耗。
TO-252封裝: TO-252封裝使其易于散熱,適合于高功率、高密度的電路設(shè)計。它的板上占用面積較小,方便在狹小空間內(nèi)進行高密度的器件布局。
HYG120P06LR1D廣泛適用于以下領(lǐng)域:
開關(guān)電源(SMPS): 在高頻率切換中,優(yōu)異的開關(guān)性能能夠有效減少開關(guān)損耗,提升整體效率。
電機控制器: 適用于電動機驅(qū)動電路,能夠處理較大的負載電流,保證電動機的穩(wěn)定運行。
LED驅(qū)動器: 可用于高功率LED照明系統(tǒng),保持電流的穩(wěn)定性,確保LED的正常工作和延長使用壽命。
負載開關(guān): 在各種電子設(shè)備中作為負載開關(guān)進行功率控制,提升設(shè)備的開關(guān)效率,優(yōu)化能源管理。
華羿微推出的HYG120P06LR1D P溝道MOSFET以其優(yōu)異的電氣特性和封裝設(shè)計,為現(xiàn)代電子應(yīng)用中高效的電源管理提供了理想解決方案。憑借其低功耗、高電流承載能力和廣泛的適用性,HYG120P06LR1D不僅適用于各類消費電子和工業(yè)設(shè)備,而且在電源設(shè)計工程師中受到廣泛歡迎。選擇HYG120P06LR1D,您的設(shè)計將會在性能和效率上都得到顯著提升,是值得信賴的高效能元器件。