功率(Pd) | 5W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 14pF |
商品分類 | 場效應管(MOSFET) | 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 115mΩ@10V,3A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 4.5nC |
漏源電壓(Vdss) | 100V | 類型 | 1個N溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 210pF | 連續漏極電流(Id) | 5A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
AP5N10S 是一種高性能的 N 溝道場效應晶體管(MOSFET),其主要特點是能夠支持最高 100V 的工作電壓和 5A 的最大放大電流。該元件采用 SOT-23-3L 封裝,體積小巧,適合于多種電子設備和電路中廣泛的應用。ALLPOWER(銓力)作為該元件的制造商,以其優秀的可靠性和卓越的性能在業界享有盛譽。
N 溝道設計:N 溝道 MOSFET 采用了 N 型半導體材料,在得到正向電壓后,能夠有效地導通電流。相較于 P 溝道 MOSFET,N 溝道具有更低的導通電阻和更好的開關性能,尤其適合高功率和高頻率的應用場景。
額定電壓與電流:AP5N10S 的額定電壓可達到 100V,最大持續電流為 5A。這使得該 MOSFET 能夠應對諸如升壓轉換器、功率放大器和其他高電壓驅動電路等高電壓復雜應用。
SOT-23-3L 封裝:該封裝尺寸小、占板空間少,使得 AP5N10S 特別適合于小型化電子設備。這種封裝的散熱性能良好,有利于延長元件的使用壽命,并提高電路的整體性能。
低導通阻抗:AP5N10S 具有較低的 R_DS(on) 值,這意味著在工作時能顯著降低能量損耗,提高效率。這對于高效能緊湊型電源設計尤為重要,可以有效降低發熱,提高系統的可靠性。
AP5N10S N 溝道 MOSFET 在各個電力電子應用中非常多見,包括但不限于:
AP5N10S 是一款設計精良且性能優越的 N 溝道 MOSFET,適合于多種現代電子應用。憑借其高漏極電壓、顯著的導通性能以及緊湊的 SOT-23-3L 封裝,AP5N10S 不僅滿足了電子設備對能效和尺寸的苛刻要求,更為廣大工程師在新產品開發時提供了可靠的解決方案。無論是在消費電子、工業設備還是高頻通信領域,AP5N10S 都能發揮出其獨特的優勢,助力用戶實現高效、可靠的設計。