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AP5N10S 產品實物圖片
AP5N10S 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

AP5N10S

商品編碼: BM0224106968
品牌?:?
ALLPOWER(銓力)
封裝?:?
SOT-23-3L
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
場效應管(MOSFET) 5W 100V 5A 1個N溝道 SOT-23-3L
庫存 :
6522(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數量 :
X
0.143
按整 :
圓盤(1圓盤有3000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥0.143
--
200+
¥0.142
--
1500+
¥0.141
--
30000+
產品參數
產品手冊
產品概述

AP5N10S參數

功率(Pd)5W反向傳輸電容(Crss@Vds)14pF
商品分類場效應管(MOSFET)導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)115mΩ@10V,3A
工作溫度-55℃~+150℃柵極電荷(Qg@Vgs)4.5nC
漏源電壓(Vdss)100V類型1個N溝道
輸入電容(Ciss@Vds)210pF連續漏極電流(Id)5A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA

AP5N10S手冊

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無數據

AP5N10S概述

AP5N10S 產品概述

概述

AP5N10S 是一種高性能的 N 溝道場效應晶體管(MOSFET),其主要特點是能夠支持最高 100V 的工作電壓和 5A 的最大放大電流。該元件采用 SOT-23-3L 封裝,體積小巧,適合于多種電子設備和電路中廣泛的應用。ALLPOWER(銓力)作為該元件的制造商,以其優秀的可靠性和卓越的性能在業界享有盛譽。

主要特點

  1. N 溝道設計:N 溝道 MOSFET 采用了 N 型半導體材料,在得到正向電壓后,能夠有效地導通電流。相較于 P 溝道 MOSFET,N 溝道具有更低的導通電阻和更好的開關性能,尤其適合高功率和高頻率的應用場景。

  2. 額定電壓與電流:AP5N10S 的額定電壓可達到 100V,最大持續電流為 5A。這使得該 MOSFET 能夠應對諸如升壓轉換器、功率放大器和其他高電壓驅動電路等高電壓復雜應用。

  3. SOT-23-3L 封裝:該封裝尺寸小、占板空間少,使得 AP5N10S 特別適合于小型化電子設備。這種封裝的散熱性能良好,有利于延長元件的使用壽命,并提高電路的整體性能。

  4. 低導通阻抗:AP5N10S 具有較低的 R_DS(on) 值,這意味著在工作時能顯著降低能量損耗,提高效率。這對于高效能緊湊型電源設計尤為重要,可以有效降低發熱,提高系統的可靠性。

性能參數

  • 額定電壓 (V_DS): 100 V
  • 最大漏極電流 (I_D): 5 A
  • 導通電阻 (R_DS(on)): 由于制造工藝的優化,AP5N10S 的 R_DS(on) 低于同類產品,保證了更高的電流通過能力。
  • 工作溫度范圍: 通常可以在 -55°C 到 +150°C 的環境溫度下運行,適應多種嚴苛的工作條件。

應用領域

AP5N10S N 溝道 MOSFET 在各個電力電子應用中非常多見,包括但不限于:

  • 開關電源:在開關電源電路中,AP5N10S 可用作主開關組件,有效控制電能的轉換和分配。
  • 電機驅動:在電動機驅動電路中,MOSFET 的快速開關特性可提升電機的效率和性能。
  • 調光照明:用于高效調光控制,以滿足智能照明系統的需求。
  • LED 驅動:在 LED 驅動電源中,AP5N10S 可作為高效開關,以達到最佳的光效和能耗比。

結論

AP5N10S 是一款設計精良且性能優越的 N 溝道 MOSFET,適合于多種現代電子應用。憑借其高漏極電壓、顯著的導通性能以及緊湊的 SOT-23-3L 封裝,AP5N10S 不僅滿足了電子設備對能效和尺寸的苛刻要求,更為廣大工程師在新產品開發時提供了可靠的解決方案。無論是在消費電子、工業設備還是高頻通信領域,AP5N10S 都能發揮出其獨特的優勢,助力用戶實現高效、可靠的設計。