功率(Pd) | 1W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 58pF@10V |
商品分類 | 場效應管(MOSFET) | 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 57mΩ@4.5V,3A |
工作溫度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 4.1nC@2V |
漏源電壓(Vdss) | 20V | 類型 | 1個P溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 503pF@10V | 連續漏極電流(Id) | 3A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
AP2301是一款基于場效應管(MOSFET)技術的功率元件,專為高效能電子應用設計,具有顯著的電氣特性和熱性能。該器件的主要參數為1W功率、20V額定電壓和3A額定電流,適用于要求較高的電源管理、開關電路和功率調節應用。同時,AP2301采用SOT-23封裝,具有小型化、集成度高等優點,廣泛應用于消費電子、工業控制和通訊設備等領域。
AP2301采用SOT-23封裝。相較于傳統的DPAK或TO-220封裝,SOT-23封裝的體積更小,適應更緊湊的電路設計需求。這一特性使得AP2301在移動設備、穿戴設備等空間受到限制造成的挑戰下,能夠提供良好的解決方案。同時,SOT-23雖小,但其散熱性能依然得到了有效保障,確保器件在持續工作的條件下也不會過熱。
AP2301的設計使其適用于多種應用場景:
AP2301作為一款P溝道MOSFET,其優越的電氣特性表現在多個方面:
總之,AP2301作為一款高效能的P溝道MOSFET,具備了優良的電氣特性和廣泛的應用潛力。其小巧的SOT-23封裝使其成為現代電子設計中極具價值的解決方案,尤其適合電源管理、LED驅動和負載控制等領域。隨著對更高性能和更小尺寸電子元器件的需求不斷增長,AP2301將繼續發揮其獨特的優勢,滿足市場的多樣化需求。