功率(Pd) | 104W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 80pF |
商品分類 | 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) | 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,25A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 45nC |
漏源電壓(Vdss) | 60V | 類型 | 1個(gè)N溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 2.3nF | 連續(xù)漏極電流(Id) | 50A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
產(chǎn)品概述:AP68N06G N溝道MOSFET
AP68N06G是一款由著名電子元器件制造商ALLPOWER(銓力)生產(chǎn)的高性能N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),其在電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。該產(chǎn)品的規(guī)格參數(shù)如下:額定功率104W,最高電壓為60V,最大連續(xù)電流為50A。它采用DFN-8(5x6)封裝,提供出色的熱性能和空間效率,特別適合需要高功率和高密度設(shè)計(jì)的小型電子設(shè)備。
AP68N06G廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電源管理系統(tǒng)中,包括但不限于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
雖然AP68N06G在許多應(yīng)用中都表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,但在使用時(shí)仍需考慮以下幾點(diǎn):
AP68N06G N溝道MOSFET憑借其卓越的電氣特性和靈活的應(yīng)用場(chǎng)景,已成為電子設(shè)計(jì)師和工程師們選擇的重要元器件。其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)響應(yīng),使其在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮著不可或缺的作用。無(wú)論是在電源管理系統(tǒng)還是在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等多種應(yīng)用場(chǎng)合,AP68N06G都能夠提供極高的可靠性與能效,是實(shí)現(xiàn)高性能電路設(shè)計(jì)的理想選擇。