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AP68N06G 產(chǎn)品實(shí)物圖片
AP68N06G 產(chǎn)品實(shí)物圖片
注:圖像僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格

AP68N06G

商品編碼: BM0224106999
品牌?:?
ALLPOWER(銓力)
封裝?:?
DFN(5x6)
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 104W 60V 50A 1個(gè)N溝道 PDFN-8(5x6)
庫(kù)存 :
5820(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數(shù)量 :
X
0.434
按整 :
圓盤(pán)(1圓盤(pán)有5000個(gè))
合計(jì) :
¥0
梯度
內(nèi)地(含稅)
香港
1+
¥0.434
--
500+
¥0.433
--
2500+
¥0.432
--
50000+
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品手冊(cè)
產(chǎn)品概述

AP68N06G參數(shù)

功率(Pd)104W反向傳輸電容(Crss@Vds)80pF
商品分類場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,25A
工作溫度-55℃~+150℃柵極電荷(Qg@Vgs)45nC
漏源電壓(Vdss)60V類型1個(gè)N溝道
輸入電容(Ciss@Vds)2.3nF連續(xù)漏極電流(Id)50A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)3V@250uA

AP68N06G手冊(cè)

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無(wú)數(shù)據(jù)

AP68N06G概述

產(chǎn)品概述:AP68N06G N溝道MOSFET

AP68N06G是一款由著名電子元器件制造商ALLPOWER(銓力)生產(chǎn)的高性能N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),其在電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。該產(chǎn)品的規(guī)格參數(shù)如下:額定功率104W,最高電壓為60V,最大連續(xù)電流為50A。它采用DFN-8(5x6)封裝,提供出色的熱性能和空間效率,特別適合需要高功率和高密度設(shè)計(jì)的小型電子設(shè)備。

1. 技術(shù)特點(diǎn)

  • 高電流能力:具有最高可承受的連續(xù)電流達(dá)到50A,AP68N06G在苛刻的電源環(huán)境下依然可以保持穩(wěn)定的性能,適合大功率應(yīng)用。
  • 寬工作電壓范圍:額定電壓達(dá)60V,AP68N06G可以滿足多種電源管理方案中的高壓需求。
  • 低導(dǎo)通電阻:該MOSFET的導(dǎo)通電阻低,減少了功耗和發(fā)熱,提升了整體能效,使得在大電流流過(guò)時(shí)依然能保持低溫工作,從而提高了設(shè)備的可靠性。
  • 快速開(kāi)關(guān)響應(yīng):AP68N06G能夠快速切換,適合高頻率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用需求,如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  • 緊湊封裝:DFN-8(5x6)封裝形式,不僅優(yōu)化了占用空間,還具有良好的散熱性能,進(jìn)一步延長(zhǎng)了元器件及其所處系統(tǒng)的使用壽命。

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

AP68N06G廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電源管理系統(tǒng)中,包括但不限于以下幾個(gè)領(lǐng)域:

  • 電源管理:在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器中應(yīng)用良好,能夠高效地調(diào)節(jié)電流和電壓,提升電源的能效。
  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng):在電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中,AP68N06G能夠有效地實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的開(kāi)關(guān)控制,適用于電動(dòng)車、電動(dòng)工具等領(lǐng)域。
  • LED照明:在LED驅(qū)動(dòng)電路中,利用AP68N06G低熱損耗特性,可以優(yōu)化LED燈具的使用效率和延長(zhǎng)其工作壽命。
  • 汽車電子:該MOSFET也適用于各種汽車電子設(shè)備,如電源分配、驅(qū)動(dòng)控制等,能夠承受汽車環(huán)境中的高溫和電壓波動(dòng)。

3. 安裝和應(yīng)用注意事項(xiàng)

雖然AP68N06G在許多應(yīng)用中都表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,但在使用時(shí)仍需考慮以下幾點(diǎn):

  • 散熱設(shè)計(jì):盡管該MOSFET具有較好的熱性能,但在高功率應(yīng)用中,仍需注意散熱設(shè)計(jì),以避免因過(guò)熱而導(dǎo)致?lián)p壞。
  • 電路設(shè)計(jì):在電路設(shè)計(jì)中,應(yīng)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻及其控制信號(hào)的質(zhì)量,以便實(shí)現(xiàn)最佳性能。
  • 兼容性問(wèn)題:在選擇和使用AP68N06G時(shí),需確保其與其他電子元件的兼容性,包括電壓、電流和頻率等參數(shù),以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

4. 總結(jié)

AP68N06G N溝道MOSFET憑借其卓越的電氣特性和靈活的應(yīng)用場(chǎng)景,已成為電子設(shè)計(jì)師和工程師們選擇的重要元器件。其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)響應(yīng),使其在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮著不可或缺的作用。無(wú)論是在電源管理系統(tǒng)還是在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等多種應(yīng)用場(chǎng)合,AP68N06G都能夠提供極高的可靠性與能效,是實(shí)現(xiàn)高性能電路設(shè)計(jì)的理想選擇。