功率(Pd) | 30W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 2.2pF@25V |
商品分類 | 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) | 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.1Ω@10V,1.5A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 19.7nC@10V |
漏源電壓(Vdss) | 1.2kV | 類型 | 1個(gè)N溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 1.006nF@25V | 連續(xù)漏極電流(Id) | 3A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
產(chǎn)品名稱:CS3N120FA9R
類型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET)
制造商:CRMICRO(華潤(rùn)微)
封裝類型:TO-220F
額定功率:30W
額定電壓:1.2kV
額定電流:3A
CS3N120FA9R是一款由華潤(rùn)微制造的高壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,專為高功率和高電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大的漏源電壓達(dá)到1.2kV,支持高達(dá)3A的漏電流,能夠在多個(gè)工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用中穩(wěn)定運(yùn)行。該器件采用TO-220F封裝,適合散熱需求較高的場(chǎng)合,廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電源、逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等。
CS3N120FA9R MOSFET適用范圍廣泛,包括但不限于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
CS3N120FA9R的一些關(guān)鍵性能參數(shù)如下:
為確保CS3N120FA9R的最佳工作性能,建議在設(shè)計(jì)電路時(shí)充分考慮其熱管理需求,適當(dāng)選擇散熱器以防止過(guò)熱。同時(shí),進(jìn)行合理的設(shè)計(jì),確保器件持續(xù)工作的電壓和電流都在其額定范圍內(nèi),避免對(duì)器件造成不可逆損壞。
CS3N120FA9R是一款高性能的N溝道MOSFET,憑借其高電壓、高電流及快速開關(guān)特性,成為多種電力電子應(yīng)用的理想選擇。其可靠的性能和耐用的設(shè)計(jì)使其能夠滿足現(xiàn)代工業(yè)需求中的高效和安全標(biāo)準(zhǔn)。選擇CS3N120FA9R為您的電氣設(shè)備提供動(dòng)力,將使您的設(shè)計(jì)在性能和效率上更上一層樓。