功率(Pd) | 428W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 115pF |
商品分類 | 場效應管(MOSFET) | 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.61mΩ@4.5V,80A |
工作溫度 | -55℃~+175℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 230nC@10V |
漏源電壓(Vdss) | 40V | 類型 | 1個N溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 15.4nF@0V | 連續漏極電流(Id) | 600A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
HYG006N04LS1TA是一款高性能的N溝道場效應管(MOSFET),具有出色的電流承受能力和電壓耐受能力。該器件由知名品牌HUAYI(華羿微)制造,采用TOLL封裝設計,專門優化了散熱性能與電氣特性,使其在各種嚴苛工作環境下都能表現卓越。這款MOSFET主要應用于大功率電源轉換、馬達驅動、工業控制及電動車輛等領域。
額定電流和電壓:HYG006N04LS1TA可在高達600A的電流和40V的工作電壓下穩定運行,這使得它非常適合高功率應用。
低導通電阻:該MOSFET在開啟狀態下具有極低的導通電阻,這不僅降低了功耗,還提高了效能,使得系統能夠更高效地運行。
快速開關速度:HYG006N04LS1TA在開關頻率方面表現優異,適合在高頻應用中使用,有助于提高整體電源轉化效率。
高熱導性:TOLL封裝設計增強了該器件的熱管理能力,能夠有效散熱,降低過熱風險,確保長期穩定運行。
耐高溫特性:該產品可以適應較高的工作溫度,非常適合嚴苛環境下的應用。
HYG006N04LS1TA由于其卓越的電氣特性而廣泛應用于多種領域,包括但不限于:
HYG006N04LS1TA的設計確保其在高電流和頻繁開關的環境中始終保持優良性能。與傳統的功率器件相比,它在效率、熱管理和長期穩定性方面提供了明顯的優勢,特別是對于需要高功率密度的應用場合。
由于其高額定電流及快速的開關特性,這款MOSFET能夠顯著提高系統的靈活性和響應速度,降低系統的總體能耗,并在多個應用場合中提升整體的工作效率。
HYG006N04LS1TA是一款在高要求環境下表現出色的N溝道MOSFET。其600A的高電流能力和40V的電壓承受能力,使其成為現代電力電子設計中不可或缺的組件。無論是在電源轉換、馬達驅動,還是電動車輛的應用中,HYG006N04LS1TA都能提供優越的性能和可靠的解決方案,助力可持續的能源利用和高效的工業應用。選擇HYG006N04LS1TA,將為您的電源管理和驅動控制帶來新的技術突破與性能提升。