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HY1904C2 產品實物圖片
HY1904C2 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

HY1904C2

商品編碼: BM0224595703
品牌?:?
HUAYI(華羿微)
封裝?:?
PPAK5*6-8L
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
場效應管(MOSFET) 48W 40V 65A 1個N溝道 PPAK-8L(5x6)
庫存 :
450(起訂量1,增量1)
批次 :
22+
數量 :
X
0.73
按整 :
圓盤(1圓盤有5000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥0.73
--
100+
¥0.72
--
1250+
¥0.71
--
2500+
¥0.7
--
50000+
產品參數
產品手冊
產品概述

HY1904C2參數

功率(Pd)48W商品分類場效應管(MOSFET)
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)6mΩ@10V,20A漏源電壓(Vdss)40V
類型1個N溝道連續漏極電流(Id)65A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)3V@250uA

HY1904C2手冊

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無數據

HY1904C2概述

產品概述:HY1904C2 N溝道MOSFET

1. 引言

HY1904C2是一款高性能N溝道場效應管(MOSFET),由華羿微(HUAYI)制造,專為高效能電源管理和信號開關應用而設計。這款MOSFET在功率轉換、電機驅動和其他需要高電流應用的領域中展現出卓越的性能。其最大工作電壓可達到40V,持續輸出電流可達65A,且功率處理能力高達48W,使其成為現代電子設備的重要元件之一。

2. 產品規格

  • 類型:N溝道MOSFET
  • 最大漏極源極電壓(VDS):40V
  • 最大漏極電流(ID):65A
  • 最大功耗(PD):48W
  • 封裝類型:PPAK-8L(5x6mm)
  • 應用領域:電源管理、電機控制、開關電源、消費電子、工業自動化等

3. 結構與封裝

HY1904C2采用PPAK-8L(5x6mm)封裝,具有良好的散熱性能與小型化優勢,數字化電路及工業自動化設備對空間的要求較高,HY1904C2的封裝設計有效減少了PCB占板面積,并提供了優良的電氣性能。

該封裝結構是高效散熱的理想選擇,能夠支持高達65A的連續電流,確保它能夠在高負荷工作下保持穩定,避免因過熱導致的性能衰退或失效。

4. 性能優勢

  • 高電流承載能力:HY1904C2具備65A的高漏極電流能力,適合用于需要快速切換的大功率應用,這意味著它能夠支持高頻開關操作,提升整體系統效率。

  • 低導通電阻(RDS(on)):該器件在低電壓條件下展現出極低的導通電阻特性,這有助于降低開關損失,提高功率轉換的整體效率。

  • 耐壓能力:在40V的耐壓范圍內,HY1904C2可以可靠地運行,適用于多種電源轉換和電機控制應用。

  • 快速開關特性:具有響應速度快的特點,使得HY1904C2適用于高頻率的開關操作,確保了高效的電源轉換和快速開關控制。

5. 應用領域

HY1904C2廣泛應用于:

  • 電源管理:如直流-直流轉換器、開關電源、蓄電池充電器等。
  • 電機控制:在電動機驅動系統中可用于電機開關和速度控制。
  • 消費電子:如筆記本電腦、電視機等電子產品的電源管理。
  • 工業自動化:在自動化設備中通常用于高功率開關和電源調節。

6. 選型及使用注意事項

在選擇HY1904C2 MOSFET時,需要考慮應用環境的溫度、散熱條件以及負載特性,確保其在合適的條件下工作,以達到最佳性能。此外,建議在設計電路時使用必要的過流保護和散熱措施,以防止組件過熱或損壞。

7. 結論

HY1904C2 N溝道MOSFET以其高性能、高可靠性和良好的物理特性,成為現代電源管理中的關鍵組件。其在多種高電流應用中的表現證明了設計的科學性與實用性,是電子設計師值得推薦的一款優質器件。通過合理的設計與應用,HY1904C2將助力于提升電子產品的性能與可靠性。