功率(Pd) | 48W | 商品分類 | 場效應管(MOSFET) |
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V,20A | 漏源電壓(Vdss) | 40V |
類型 | 1個N溝道 | 連續漏極電流(Id) | 65A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
HY1904C2是一款高性能N溝道場效應管(MOSFET),由華羿微(HUAYI)制造,專為高效能電源管理和信號開關應用而設計。這款MOSFET在功率轉換、電機驅動和其他需要高電流應用的領域中展現出卓越的性能。其最大工作電壓可達到40V,持續輸出電流可達65A,且功率處理能力高達48W,使其成為現代電子設備的重要元件之一。
HY1904C2采用PPAK-8L(5x6mm)封裝,具有良好的散熱性能與小型化優勢,數字化電路及工業自動化設備對空間的要求較高,HY1904C2的封裝設計有效減少了PCB占板面積,并提供了優良的電氣性能。
該封裝結構是高效散熱的理想選擇,能夠支持高達65A的連續電流,確保它能夠在高負荷工作下保持穩定,避免因過熱導致的性能衰退或失效。
高電流承載能力:HY1904C2具備65A的高漏極電流能力,適合用于需要快速切換的大功率應用,這意味著它能夠支持高頻開關操作,提升整體系統效率。
低導通電阻(RDS(on)):該器件在低電壓條件下展現出極低的導通電阻特性,這有助于降低開關損失,提高功率轉換的整體效率。
耐壓能力:在40V的耐壓范圍內,HY1904C2可以可靠地運行,適用于多種電源轉換和電機控制應用。
快速開關特性:具有響應速度快的特點,使得HY1904C2適用于高頻率的開關操作,確保了高效的電源轉換和快速開關控制。
HY1904C2廣泛應用于:
在選擇HY1904C2 MOSFET時,需要考慮應用環境的溫度、散熱條件以及負載特性,確保其在合適的條件下工作,以達到最佳性能。此外,建議在設計電路時使用必要的過流保護和散熱措施,以防止組件過熱或損壞。
HY1904C2 N溝道MOSFET以其高性能、高可靠性和良好的物理特性,成為現代電源管理中的關鍵組件。其在多種高電流應用中的表現證明了設計的科學性與實用性,是電子設計師值得推薦的一款優質器件。通過合理的設計與應用,HY1904C2將助力于提升電子產品的性能與可靠性。