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IS66WVE4M16EBLL-70BLI 產(chǎn)品實物圖片
IS66WVE4M16EBLL-70BLI 產(chǎn)品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格

IS66WVE4M16EBLL-70BLI

商品編碼: BM0225097151
品牌?:?
ISSI(美國芯成)
封裝?:?
48-TFBGA(6x8)
包裝?:?
托盤
重量?:?
-
描述?:?
PSRAM(偽-SRAM)-存儲器-IC-64Mb-(4M-x-16)-并聯(lián)-70ns-48-TFBGA(6x8)
庫存 :
10(起訂量1,增量1)
批次 :
25+
數(shù)量 :
X
21.2
按整 :
托盤(1托盤有480個)
合計 :
¥0
梯度
內(nèi)地(含稅)
香港
1+
¥21.2
--
10+
¥17.6
--
4800+
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品手冊
產(chǎn)品概述

IS66WVE4M16EBLL-70BLI參數(shù)

訪問時間70ns工作溫度-40°C ~ 85°C(TA)
存儲器接口并聯(lián)存儲器格式PSRAM
寫周期時間 - 字,頁70ns存儲器類型易失
安裝類型表面貼裝型技術PSRAM(偽 SRAM)
存儲容量64Mb (4M x 16)電壓 - 供電2.7V ~ 3.6V

IS66WVE4M16EBLL-70BLI手冊

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無數(shù)據(jù)

IS66WVE4M16EBLL-70BLI概述

IS66WVE4M16EBLL-70BLI 產(chǎn)品概述

概要

IS66WVE4M16EBLL-70BLI 是由美國芯成(ISSI)公司生產(chǎn)的一款高性能偽靜態(tài)隨機存取存儲器(PSRAM),屬于易失性存儲器類別。該產(chǎn)品以其高速訪問時間、廣泛的工作溫度范圍和高存儲容量而受到廣泛歡迎,特別適用于需要高性能和可靠性的電子設備。

基礎參數(shù)

  • 存儲容量: 64Mb,組織結構為 4M x 16 位。
  • 訪問時間: 70ns,確保快速數(shù)據(jù)讀寫操作。
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA),適用于各種環(huán)境條件下的應用。
  • 存儲器接口: 并聯(lián)接口,支持高效數(shù)據(jù)傳輸。
  • 寫周期時間 - 字,頁: 70ns,保證了快速的寫入操作。
  • 存儲器類型: 易失性存儲器,數(shù)據(jù)在斷電后會丟失。
  • 安裝類型: 表面貼裝型(SMT),便于自動化生產(chǎn)和集成。
  • 技術: 偽靜態(tài)隨機存取存儲器(PSRAM),結合了SRAM和DRAM的優(yōu)勢。
  • 電壓 - 供電: 2.7V ~ 3.6V,兼容多種電源系統(tǒng)。

封裝和物理特性

  • 封裝: 48-TFBGA(6x8),這是一個緊湊的球柵陣列封裝,適合空間有限但需要高性能存儲的應用場景。
  • 尺寸: 封裝尺寸為 6mm x 8mm,非常適合現(xiàn)代電子設備的miniaturization趨勢。

應用場景

IS66WVE4M16EBLL-70BLI 因其高性能和靈活性,廣泛應用于以下領域:

  • 嵌入式系統(tǒng): 適用于需要高速數(shù)據(jù)訪問和處理的嵌入式系統(tǒng),如工業(yè)控制器、醫(yī)療設備等。
  • 通信設備: 在無線通信設備、基站設備等場景中使用,以提高數(shù)據(jù)處理速度和存儲能力。
  • 消費電子: 用于智能手機、平板電腦、游戲機等消費電子產(chǎn)品中,提供快速的數(shù)據(jù)存儲和訪問。
  • 汽車電子: 因其廣泛的工作溫度范圍,非常適合用于汽車電子系統(tǒng),如導航系統(tǒng)、娛樂系統(tǒng)等。

特點和優(yōu)勢

  • 高速訪問時間: 70ns 的訪問時間確保了快速的數(shù)據(jù)讀寫操作,提高了系統(tǒng)整體性能。
  • 廣泛工作溫度范圍: 從 -40°C 到 85°C 的工作溫度范圍,使其能夠在各種環(huán)境條件下穩(wěn)定運行。
  • 高存儲容量: 64Mb 的存儲容量滿足了大多數(shù)應用場景對數(shù)據(jù)存儲的需求。
  • 低功耗: 2.7V ~ 3.6V 的供電電壓范圍有助于降低系統(tǒng)整體功耗,延長電池壽命。
  • 兼容性強: 并聯(lián)接口設計使其易于與其他芯片集成,簡化了系統(tǒng)設計過程。

使用注意事項

  • 電源管理: 確保供電電壓在指定范圍內(nèi),以避免損壞芯片或影響性能。
  • 熱管理: 盡量避免在高溫環(huán)境下長時間運行,以延長產(chǎn)品壽命。
  • 靜電保護: 在處理和安裝過程中,必須采取適當?shù)撵o電保護措施,以防止靜電損傷。

總結

IS66WVE4M16EBLL-70BLI 是一款高性能、可靠性強的偽靜態(tài)隨機存取存儲器,通過其高速訪問時間、廣泛工作溫度范圍和高存儲容量,成為各種電子設備的理想選擇。其緊湊的封裝設計和低功耗特性進一步增強了其在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中的應用價值。