WSD4070DN33 產品概述

概要

WSD4070DN33 是由微碩（WINSOK）公司生產的一款高性能N溝道場效應管（MOSFET），適用于各種高頻、高功率電子設備。以下是對此產品的詳細介紹。

基礎參數

• 功率（Pd）: 3.1W
  • 這表明該MOSFET在正常工作條件下可以承受的最大功率。
• 反向傳輸電容（Crss@Vds）: 150pF @ 20V
  • 反向傳輸電容是指在特定漏源電壓下，柵極和漏極之間的電容值，這對高頻應用有重要影響。
• 商品分類: 場效應管（MOSFET）
  • 屬于場效應管家族，通過柵極電壓控制漏源通道。
• 導通電阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 4.5mΩ @ 10V, 7A
  • 在給定柵極電壓和漏極電流條件下，MOSFET的導通電阻非常低，表明其在導通狀態下的能量損耗較小。
• 工作溫度: -55℃ ~ +150℃ @(Tj)
  • 具有廣泛的工作溫度范圍，適用于各種極端環境下的應用。
• 柵極電荷（Qg@Vgs）: 28nC @ 10V
  • 柵極電荷是指將MOSFET從關閉狀態切換到導通狀態所需的電荷量，對于快速開關應用非常重要。
• 漏源電壓（Vdss）: 40V
  • 最大允許的漏源電壓，確保在正常工作條件下不會因過壓而損壞。
• 類型: 1個N溝道
  • 單個N溝道結構，適用于需要單一控制信號的應用場景。
• 輸入電容（Ciss@Vds）: 2.42nF @ 20V
  • 輸入電容包括柵極和源極之間的電容，影響MOSFET的開關速度和驅動需求。
• 連續漏極電流（Id）: 68A
  • 最大允許的連續工作電流，適用于高功率應用。
• 閾值電壓（Vgs(th)@Id）: 1.9V @ 250uA
  • 閾值電壓是指MOSFET開始導通所需的最低柵極電壓，對于低功耗設計非常重要。

封裝和品牌

• 品牌: 微碩（WINSOK）
  • 由知名電子元器件制造商微碩公司生產，保證了產品的質量和可靠性。
• 封裝: PDFN3333-8
  • 采用PDFN3333-8封裝形式，具有小尺寸、低熱阻和高可靠性的特點，適用于空間有限但要求高性能的應用場景。

應用場景

WSD4070DN33 因其高性能參數，廣泛應用于以下領域：

• 電源管理: 高效率的開關電源、DC-DC轉換器、電池管理系統等。
• 汽車電子: 汽車啟動系統、電動汽車驅動系統、汽車電子控制單元等。
• 工業控制: 工業驅動器、伺服系統、變頻器等。
• 通信設備: 基站設備、通信基板、無線充電系統等。
• 消費電子: 高性能筆記本電腦、服務器、數據中心設備等。

特點和優勢

1. 低導通電阻:
   • 僅4.5mΩ的導通電阻，顯著減少能量損耗，提高系統效率。
2. 高連續漏極電流:
   • 支持高達68A的連續工作電流，滿足高功率應用需求。
3. 寬工作溫度范圍:
   • 從-55℃到+150℃的廣泛工作溫度范圍，使其適用于各種極端環境。
4. 快速開關能力:
   • 低柵極電荷和輸入電容，確保快速開關和低噪聲性能。
5. 小尺寸封裝:
   • PDFN3333-8封裝形式提供了緊湊的設計空間，適合現代電子設備的需求。

使用注意事項

1. 柵極驅動:
   • 確保柵極驅動電路能夠提供足夠的驅動能力，以實現快速開關和穩定工作。
2. 熱管理:
   • 由于高功率特性，需要確保良好的散熱設計，以防止過熱導致的故障。
3. 過壓保護:
   • 在設計中加入適當的過壓保護措施，以防止超過最大允許漏源電壓（40V）。

總之，WSD4070DN33 是一款高性能、多功能的N溝道MOSFET，通過其優異的參數和小尺寸封裝，能夠滿足各種高頻、高功率電子設備的需求。其廣泛的應用場景和優越性能，使其成為許多工程師和設計師的首選元器件。