功率(Pd) | 45W | 商品分類 | 場效應管(MOSFET) |
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.7mΩ@10V,35A | 漏源電壓(Vdss) | 30V |
類型 | 1個N溝道 | 連續漏極電流(Id) | 50A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
WSD3066DN33 是由微碩(WINSOK)公司生產的一款高性能N溝道場效應管(MOSFET),適用于各種高功率電子設備和系統。以下是對此產品的詳細介紹。
WSD3066DN33 采用DFN-8(3.3x3.3)封裝,這種封裝形式具有小尺寸、低-profile和高密度的特點,非常適合現代電子設備中的空間有限場景。DFN-8封裝提供了八個引腳,包括源極、柵極和漏極的連接點,方便在各種PCB設計中使用。
WSD3066DN33 的導通電阻(RDS(on))僅為5.7mΩ @ 10V, 35A,這意味著在正常工作條件下,設備會產生非常低的熱量和能量損失。這種低導通電阻使得該MOSFET特別適合于高頻開關應用,如DC-DC轉換器、電源管理模塊和驅動電機等場景。
該MOSFET支持高達50A的連續漏極電流,這使得它能夠處理大功率負載,滿足各種高性能應用的需求。這種高電流能力使得WSD3066DN33 成為工業控制、汽車電子和服務器電源等領域的理想選擇。
WSD3066DN33 的漏源電壓(Vdss)為30V,這意味著它可以在較寬的工作電壓范圍內穩定運行。這種特性增強了設備的耐壓能力和可靠性,特別是在存在電壓波動或噪聲的環境中。
閾值電壓(Vgs(th))為2.5V @ 250uA,表明該MOSFET可以在較低的柵極驅動電壓下打開,這對于降低系統功耗和提高效率非常重要。低閾值電壓還使得設計人員可以使用較低成本的驅動器件。
由于其低導通電阻和高頻開關能力,WSD3066DN33 非常適合用于DC-DC轉換器,如點對點轉換、多相轉換等。它可以幫助提高轉換效率,減少熱量生成,并且支持高頻率操作。
在電機驅動應用中,WSD3066DN33 的高連續漏極電流和低導通電阻使得它成為理想的選擇。它可以處理大電流負載,并且由于其低熱量生成,能夠提高系統的整體可靠性。
在電源管理模塊中,WSD3066DN33 可以用于實現高效能量傳遞。其寬工作電壓范圍和低閾值電壓使得它適用于各種電源設計,從簡單的線性調節器到復雜的開關模式電源。
在汽車電子領域,WSD3066DN33 的高耐壓能力和低熱量生成使得它非常適合用于各種汽車系統,如啟動系統、照明系統等。
WSD3066DN33 是一款高性能N溝道MOSFET,通過其低導通電阻、寬工作電壓范圍和高連續漏極電流,成為各種高功率電子設備中的理想選擇。其小尺寸DFN-8封裝使得它特別適合于空間有限的應用場景。通過合理的設計和使用,這款MOSFET可以幫助提高系統效率、可靠性和整體性能。