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WSD3066DN33 產品實物圖片
WSD3066DN33 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

WSD3066DN33

商品編碼: BM0225222388
品牌?:?
WINSOK(微碩)
封裝?:?
DFN-8(3.3x3.3)
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
場效應管(MOSFET) 45W 30V 50A 1個N溝道 DFN-8(3.3x3.3)
庫存 :
0(起訂量1,增量1)
批次 :
-
數量 :
X
1.28
按整 :
圓盤(1圓盤有5000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥1.28
--
100+
¥0.693
--
1250+
¥0.6864
--
5000+
¥0.68
--
50000+
產品參數
產品手冊
產品概述

WSD3066DN33參數

功率(Pd)45W商品分類場效應管(MOSFET)
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.7mΩ@10V,35A漏源電壓(Vdss)30V
類型1個N溝道連續漏極電流(Id)50A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

WSD3066DN33手冊

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無數據

WSD3066DN33概述

WSD3066DN33 產品概述

概要

WSD3066DN33 是由微碩(WINSOK)公司生產的一款高性能N溝道場效應管(MOSFET),適用于各種高功率電子設備和系統。以下是對此產品的詳細介紹。

基礎參數

  • 功率(Pd): 45W
  • 商品分類: 場效應管(MOSFET)
  • 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.7mΩ @ 10V, 35A
  • 漏源電壓(Vdss): 30V
  • 類型: 1個N溝道
  • 連續漏極電流(Id): 50A
  • 閾值電壓(Vgs(th)@Id): 2.5V @ 250uA

封裝和尺寸

WSD3066DN33 采用DFN-8(3.3x3.3)封裝,這種封裝形式具有小尺寸、低-profile和高密度的特點,非常適合現代電子設備中的空間有限場景。DFN-8封裝提供了八個引腳,包括源極、柵極和漏極的連接點,方便在各種PCB設計中使用。

性能特點

低導通電阻

WSD3066DN33 的導通電阻(RDS(on))僅為5.7mΩ @ 10V, 35A,這意味著在正常工作條件下,設備會產生非常低的熱量和能量損失。這種低導通電阻使得該MOSFET特別適合于高頻開關應用,如DC-DC轉換器、電源管理模塊和驅動電機等場景。

高連續漏極電流

該MOSFET支持高達50A的連續漏極電流,這使得它能夠處理大功率負載,滿足各種高性能應用的需求。這種高電流能力使得WSD3066DN33 成為工業控制、汽車電子和服務器電源等領域的理想選擇。

寬工作電壓范圍

WSD3066DN33 的漏源電壓(Vdss)為30V,這意味著它可以在較寬的工作電壓范圍內穩定運行。這種特性增強了設備的耐壓能力和可靠性,特別是在存在電壓波動或噪聲的環境中。

低閾值電壓

閾值電壓(Vgs(th))為2.5V @ 250uA,表明該MOSFET可以在較低的柵極驅動電壓下打開,這對于降低系統功耗和提高效率非常重要。低閾值電壓還使得設計人員可以使用較低成本的驅動器件。

應用場景

DC-DC 轉換器

由于其低導通電阻和高頻開關能力,WSD3066DN33 非常適合用于DC-DC轉換器,如點對點轉換、多相轉換等。它可以幫助提高轉換效率,減少熱量生成,并且支持高頻率操作。

電機驅動

在電機驅動應用中,WSD3066DN33 的高連續漏極電流和低導通電阻使得它成為理想的選擇。它可以處理大電流負載,并且由于其低熱量生成,能夠提高系統的整體可靠性。

電源管理

在電源管理模塊中,WSD3066DN33 可以用于實現高效能量傳遞。其寬工作電壓范圍和低閾值電壓使得它適用于各種電源設計,從簡單的線性調節器到復雜的開關模式電源。

汽車電子

在汽車電子領域,WSD3066DN33 的高耐壓能力和低熱量生成使得它非常適合用于各種汽車系統,如啟動系統、照明系統等。

設計和使用建議

  • 熱設計: 由于WSD3066DN33具有低導通電阻,熱管理變得更加簡單。但是,仍然需要確保良好的散熱設計,以確保設備在高負載條件下保持穩定運行。
  • 柵極驅動: 低閾值電壓要求選擇合適的柵極驅動器件,以確保MOSFET能夠快速打開和關閉。
  • PCB 布局: 考慮到DFN-8封裝的緊湊性,需要仔細設計PCB布局,以確保良好的信號完整性和熱傳導路徑。

總結

WSD3066DN33 是一款高性能N溝道MOSFET,通過其低導通電阻、寬工作電壓范圍和高連續漏極電流,成為各種高功率電子設備中的理想選擇。其小尺寸DFN-8封裝使得它特別適合于空間有限的應用場景。通過合理的設計和使用,這款MOSFET可以幫助提高系統效率、可靠性和整體性能。