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G12P03D3 產品實物圖片
G12P03D3 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

G12P03D3

商品編碼: BM0225869915
品牌?:?
GOFORD(谷峰)
封裝?:?
DFN-8(3.15x3.05)
包裝?:?
托盤
重量?:?
-
描述?:?
場效應管(MOSFET) 3W 30V 12A 1個P溝道 PDFN-8(3x3.1)
庫存 :
10(起訂量1,增量1)
批次 :
2022/03/29
數量 :
X
1.1023
按整 :
托盤(1托盤有5000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥1.1023
--
產品參數
產品手冊
產品概述

G12P03D3參數

功率(Pd)3W反向傳輸電容(Crss@Vds)158pF@15V
商品分類場效應管(MOSFET)導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ@4.5V,4A
工作溫度-55℃~+150℃柵極電荷(Qg@Vgs)24.5nC@10V
漏源電壓(Vdss)30V類型1個P溝道
輸入電容(Ciss@Vds)1.253nF連續漏極電流(Id)12A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA

G12P03D3手冊

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無數據

G12P03D3概述

G12P03D3 產品概述

概述

G12P03D3 是一款高性能的 P 型場效應管(MOSFET),其設計能夠在多種應用中提供穩定而可靠的電流控制。其主要規格為 3W 的功率處理能力、30V 的額定電壓和 12A 的最大電流,廣泛適用于電源管理、開關電路、驅動電機以及其他需要高效電流控制的電子電路中。作為來自 GOFORD(谷峰)品牌的產品,G12P03D3 以其出色的性能和可靠性贏得了眾多工程師的青睞。

主要特性

  • 額定電壓:30V
  • 額定電流:12A
  • 功率處理能力:3W
  • 封裝類型:DFN-8(3.15 x 3.05 mm)
  • 門極閾值電壓:適用范圍內的低電壓特性,確保與低電壓邏輯電平兼容。
  • 低導通電阻:在導通狀態下具有優秀的低導通電阻 (R_DS(on)),這有助于降低功耗并提高效率。

應用領域

G12P03D3 的設計使其在多個領域中都能發揮重要作用,主要應用包括但不限于:

  1. 電源管理:在電源轉換器和穩壓電源中,G12P03D3 可以作為開關元件,控制電流流動,實現高效的能量轉換。
  2. 電機驅動:廣泛應用于電機驅動電路,能夠有效調節電機的啟動、運行和停止,提供平穩的運行性能。
  3. 家用電器:在家電控制電路中,G12P03D3 被用于開關控制,確保設備的可靠運行。
  4. LED 驅動:對LED照明系統來說,G12P03D3 提供了良好的開關特性,有助于實現精準的亮度控制。
  5. 通信設備:在通信設備的電源管理模塊中,G12P03D3 能夠提供所需的穩壓和電流保護。

性能優勢

  1. 高效率:得益于其低導通電阻,G12P03D3 在高電流工作時能顯著減少能量損耗,從而提高整體系統的能效。
  2. 小封裝設計:DFN-8 封裝的設計不僅節省空間,而且有助于散熱,適合現代緊湊型電路設計。
  3. 可靠性:在嚴格的工業標準下制造,確保了其在各種環境條件下的長期可靠性,適合于嚴苛的應用場景。

結論

G12P03D3 作為 GOFORD 旗下的一款高性能 P 型 MOSFET,不僅具備高功率處理能力和靈活的應用范圍,同時也在效率和可靠性方面表現卓越。其緊湊的封裝設計和出色的電氣特性,使其成為現代電子設備中不可或缺的重要元件。無論是在電源管理、電機驅動還是其他應用中,G12P03D3 皆能為用戶提供極具競爭力的解決方案,推動各種電子產品向著高效、節能的方向發展。