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WPM2015-3/TR 產品實物圖片
WPM2015-3/TR 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

WPM2015-3/TR

商品編碼: BM0225994554
品牌?:?
KUU
封裝?:?
SOT-23
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
場效應管(MOSFET) 1.1W 20V 2.4A 1個P溝道 SOT-23-3
庫存 :
2944(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數量 :
X
0.242
按整 :
圓盤(1圓盤有3000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥0.242
--
200+
¥0.156
--
1500+
¥0.136
--
3000+
¥0.12
--
30000+
產品參數
產品手冊
產品概述

WPM2015-3/TR參數

功率(Pd)1.1W反向傳輸電容(Crss@Vds)54pF@10V
商品分類場效應管(MOSFET)導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)110mΩ@4.5V,2.7A
漏源電壓(Vdss)20V類型1個P溝道
輸入電容(Ciss@Vds)534pF@10V連續漏極電流(Id)2.4A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)1V@250uA

WPM2015-3/TR手冊

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無數據

WPM2015-3/TR概述

WPM2015-3/TR 產品概述

概要

WPM2015-3/TR 是一款由 KUU 品牌生產的場效應管(MOSFET),屬于P溝道類型,采用SOT-23-3封裝。這種元器件設計用于各種電子設備中的開關和放大應用,特別適合需要高效能和小尺寸的系統。

基礎參數

以下是 WPM2015-3/TR 的一些關鍵參數:

  • 功率(Pd): 1.1W
    • 這表明該MOSFET在正常工作條件下可以承受的最大功率。
  • 反向傳輸電容(Crss@Vds): 54pF @ 10V
    • 這是指在特定漏源電壓下,MOSFET的反向傳輸電容,影響其高頻性能。
  • 導通電阻(RDS(on)@Vgs, Id): 110mΩ @ 4.5V, 2.7A
    • 這表示當門源電壓為4.5V,漏極電流為2.7A時,MOSFET的導通電阻,直接影響到能耗和熱量產生。
  • 漏源電壓(Vdss): 20V
    • 這是MOSFET可以承受的最大漏源電壓,超過此值可能導致元器件損壞。
  • 類型: 1個P溝道
    • 表明這是一個P型場效應管,適用于不同類型的電路設計。
  • 輸入電容(Ciss@Vds): 534pF @ 10V
    • 這是指在特定漏源電壓下,MOSFET的輸入電容,影響其驅動能力和開關速度。
  • 連續漏極電流(Id): 2.4A
    • 這是MOSFET可以持續承受的最大漏極電流,超過此值可能導致過熱或損壞。
  • 閾值電壓(Vgs(th)@Id): 1V @ 250uA
    • 這表示當漏極電流為250uA時,MOSFET開始導通所需的最低門源電壓。

應用場景

WPM2015-3/TR 由于其小尺寸和高性能,適用于各種應用場景,包括但不限于:

  • 低功耗電子設備: 如便攜式電子設備、無線傳感器等,需要高效能和小尺寸的場效應管。
  • DC-DC轉換器: 在開關模式電源供應中,WPM2015-3/TR 可以作為高頻開關元件,提高效率和減小體積。
  • 電機驅動: 用于驅動小型DC電機或步進電機,提供高效能和可靠的開關性能。
  • 信號放大: 在一些信號處理應用中,WPM2015-3/TR 可以作為放大器或開關元件,提供快速響應和低噪聲特性。

優勢

  • 高效能: 低導通電阻(RDS(on))和小尺寸封裝,使得WPM2015-3/TR 在高頻應用中表現出色。
  • 小尺寸: 采用SOT-23-3封裝,使其非常適合空間有限的設計。
  • 低閾值電壓: 僅需1V的閾值電壓,使得驅動變得更加容易和節能。
  • 高可靠性: 由知名品牌KUU生產,確保了產品的質量和可靠性。

使用注意事項

在使用WPM2015-3/TR 時,需要注意以下幾點:

  • 熱管理: 由于高頻操作可能產生較大的熱量,需要確保良好的散熱設計。
  • 電壓限制: 不要超過最大漏源電壓(Vdss)和最大連續漏極電流(Id),以避免元器件損壞。
  • 驅動要求: 確保驅動電路能夠提供足夠的門源電壓和電流,以確保MOSFET的正常工作。

通過以上信息,可以看到WPM2015-3/TR 是一款功能強大、體積小巧的P溝道MOSFET,廣泛適用于各種需要高效能和小尺寸的電子系統。其優異的性能參數和可靠的質量,使其成為許多設計工程師的首選。