存儲(chǔ)器接口 | eMMC | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
存儲(chǔ)器格式 | 閃存 | 電壓 - 供電 | 2.7V ~ 3.6V |
時(shí)鐘頻率 | 200MHz | 存儲(chǔ)器類型 | 非易失 |
技術(shù) | FLASH - NAND(MLC) | 存儲(chǔ)容量 | 32Gb (4G x 8) |
工作溫度 | -25°C ~ 85°C(TA) |
產(chǎn)品概述:KIOXIA (鎧俠) THGBMNG5D1LBAIL
KIOXIA (鎧俠) 是全球領(lǐng)先的閃存和存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商,其產(chǎn)品線涵蓋了各種類型的存儲(chǔ)器,為不同行業(yè)的需求提供高效、高可靠性的解決方案。在這個(gè)系列中,THGBMNG5D1LBAIL 是一款先進(jìn)的閃存存儲(chǔ)器,采用了最新的 NAND 技術(shù)和高效的設(shè)計(jì)理念,特別適用于需要高性能、高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。
THGBMNG5D1LBAIL 采用了 MLC (多層單元) 的 NAND Flash 技術(shù)。這種類型的存儲(chǔ)器能夠在單一芯片上存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù),相較于傳統(tǒng)的 SLC (單層單元) 和 TLC (三層單元) 存儲(chǔ)設(shè)備,MLC 的設(shè)計(jì)優(yōu)化了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度與成本效益,同時(shí)在讀取數(shù)據(jù)的速度和寫入的耐用性上也提供了平衡的表現(xiàn)。
該芯片的工作電壓范圍為 2.7V 至 3.6V,使其適用于多種供電環(huán)境,增加了設(shè)備的兼容性。200MHz 的時(shí)鐘頻率確保了數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝剩乖摯鎯?chǔ)器在讀取和寫入過(guò)程中能夠快速響應(yīng)應(yīng)用需求,尤其適合執(zhí)行需要頻繁數(shù)據(jù)訪問(wèn)的任務(wù)。
由于其高效的性能,THGBMNG5D1LBAIL 特別適合用于多種電子設(shè)備中,如:
THGBMNG5D1LBAIL 具有優(yōu)異的讀寫能力和較低的延遲,能夠支持高并發(fā)數(shù)據(jù)處理,適應(yīng)多任務(wù)技術(shù)要求。此外,針對(duì)數(shù)據(jù)安全與持久性的設(shè)計(jì),使得用戶能夠更加放心地依賴該芯片存儲(chǔ)重要信息。
由于該存儲(chǔ)器采用表面貼裝型(SMD)的封裝方式,在電路板上占用較少的空間,適合高密度集成的現(xiàn)代電子產(chǎn)品,為設(shè)計(jì)師提供更大的靈活性。
總的來(lái)說(shuō),KIOXIA (鎧俠) 的 THGBMNG5D1LBAIL 是一款高標(biāo)準(zhǔn)的 32Gb eMMC NAND Flash 存儲(chǔ)器。憑借其卓越的性能、廣泛的應(yīng)用范圍及優(yōu)越的溫度適應(yīng)性,它為各種電子產(chǎn)品提供了理想的存儲(chǔ)解決方案。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和需求的日益增加,THGBMNG5D1LBAIL 在緊湊型設(shè)計(jì)和需要高性能存儲(chǔ)的應(yīng)用領(lǐng)域中將持續(xù)發(fā)揮重要作用。