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可控硅的主要參數

2022-01-21 10:33:348

1、 額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅

兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。

3、 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電

壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。

4、 控制極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態

轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。

5、 維持電流IH在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。

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