8月13日消息，美國商務部周五發(fā)布最新禁令，對設計GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路所必須的EDA/ECAD軟件，金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料，和燃氣渦輪發(fā)動機使用的壓力增益燃燒(PGC)在內的四項技術實施新的出口管制。禁令生效日期為2022年8月15日。

 

 

 

這四項技術是 42 個參與國在 2021 年 12 月會議上達成共識控制的項目之一。通常來講，出口管制條例主要規(guī)定是否能從美國出口貨物，以及是否能從一個外國再出口（re-export）另一個非美國的國家。美國的出口管制涵蓋了比國際協(xié)議更廣泛的技術，包括用于生產(chǎn)半導體的額外設備、軟件和技術。

第一項是專門設計用于開發(fā)GAAFET 結構的集成電路的EDA/ECDA軟件。EDA是芯片IC設計中不可或缺的重要部分，是一種廣泛使用的技術的高級形式，屬于芯片制造的上游產(chǎn)業(yè)，涵蓋集成電路設計、布線、驗證和仿真等所有流程。EDA被行業(yè)內稱為「芯片之母」。

 

目前，全球的EDA軟件主要由Cadence、Synopsys、Mentor等三家美國企業(yè)壟斷。稱霸EDA市場的美國三巨頭，牢牢占據(jù)了全球超過70%的市場份額，能夠提供完整的EDA工具，覆蓋集成電路設計與制造全流程或大部分流程。

當下，國內大多數(shù)芯片設計公司仍在采用進口的EDA工業(yè)軟件來設計芯片，這也就導致了國內芯片設計領域難以實現(xiàn)真正意義上的國產(chǎn)化。一旦美國斷供EDA軟件，短時間內肯定會嚴重影響國內芯片企業(yè)的設計能力，但國產(chǎn)EDA軟件將徹底崛起。

第二、三項是兩種超寬禁帶半導體材料——金剛石（包括碳化硅SiC）和氧化鎵（Ga2O3）。氮化鎵和碳化硅是生產(chǎn)復雜微波、毫米波器件或高功率半導體器件的主要材料，有可能制造出更復雜的器件，能夠承受更高的電壓或溫度。

 

目前，以碳化硅和氮化鎵為代表的化合物半導體受到的關注度非常高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。但是，氧化鎵憑借其比碳化硅和氮化鎵擁有更寬的禁帶，使得該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。

第四項是用于生產(chǎn)和開發(fā)燃氣輪機發(fā)動機部件或系統(tǒng)的壓力增益燃燒技術。壓力增益燃燒（PGC）這項技術有可能將燃氣渦輪發(fā)動機的效率提高10%以上，可能會影響航空航天、火箭和高超音速導彈系統(tǒng)。PGC技術利用各種物理現(xiàn)象，包括共振脈沖燃燒、定容燃燒和爆震，從而在燃燒室中產(chǎn)生有效壓力，同時消耗相同的燃燒量。

BIS目前無法確認生產(chǎn)中的任何發(fā)動機是否使用該技術，但已經(jīng)有大量研究指向潛在的生產(chǎn)。

美國商務部表示，此舉涵蓋的“新興和基礎技術”包括氧化鎵和金剛石，因為“使用這些材料的設備顯著地增加了軍事潛力”。

另外，美國商務部工業(yè)和安全部副部長Alan Estevez表示：“允許半導體和發(fā)動機等技術更快、更高效、更長時間和更惡劣條件下運行的技術進步可能會改變商業(yè)和軍事領域的游戲規(guī)則。”