TECHCET發布了最新的碳化硅（SiC）晶圓材料報告，預測，盡管今年全球經濟和其他半導體材料市場普遍出現放緩，但到 2023 年碳化硅（SiC）晶圓將持續強勁增長。到 2022 年，SiC N 型晶圓輸出市場比 2021 年增長了約 15%，總計 884k 晶圓（等效 150 毫米），預計該市場將在 2023 年進一步增長，達到 107.2 萬片晶圓（略高于 100 萬片 150 毫米當量），比 2022 年增長約 22%。2022-2027 年的整體復合年增長率估計約為 17%。

 

 

對碳化硅（SiC）晶圓的高需求是由于硅基功率器件接近其物理極限，特別是對于高速或大功率應用。寬帶隙半導體代表了當前替代品中最有前途的，而 碳化硅（SiC） 在材料特性和供應鏈成熟度方面都處于最前沿。此外，電動汽車、充電基礎設施、綠色能源生產和更高效的功率器件的需求總體上推動了對 碳化硅 （SiC）的更高需求。

 

雖然 碳化硅（SiC） 越來越受歡迎，但該材料的化學特性使其難以將晶錠加工成實際晶圓。這導致碳化硅晶圓市場供不應求。為了在過去幾年增加晶錠供應，大量公司進入或宣布了 碳化硅 晶錠增長能力的重大擴張，但很少有公司真正進入晶片服務市場。

 

 

近日SK集團宣布，SK powertech位于韓國釜山的新工廠已完成試運行，投入量產。這意味著SK powertech的碳化硅（SiC）半導體產能將擴大近3倍。預計2026年SK powertech銷售額增長將超過5000億韓元（約合3.74億美元）。

 

SK powertech釜山新工廠計劃到2023年第四季度，工廠開工率將提升至100%，屆時新工廠將具備年產29000張（150mm/6英寸晶片標準）規模的SiC電力半導體生產能力，比目前的約10000張提升近3倍。

 

 

功率半導體是控制電動汽車、電子產品、5G通信網絡等電流方向和電力轉換中不可或缺的半導體產品。

 

此前，功率半導體一般由硅（Si）基礎材料制成，但隨著硅材料在電動汽車、鐵路等需要高電壓高電流的領域出現了發熱、耗電量增加等缺點,以碳化硅（SiC）為基礎材料制造的新一代電力半導體產品迅速崛起。

 

相比硅產品，碳化硅可承受10倍高電壓和數百度的高熱，因此成為市場新增長點。隨著需要高電壓的超快速電動汽車充電需求的增加，今后大部分電動汽車將采用SiC電力半導體產品。