摩根士丹利在最新《AI產(chǎn)業(yè)追蹤》報(bào)告中指出，存儲(chǔ)廠商群聯(lián)已進(jìn)入英偉達(dá)AI服務(wù)器供應(yīng)鏈，其Re-timer產(chǎn)品采用PCI-E GEN 5規(guī)格，每顆報(bào)價(jià)20-30美元，預(yù)計(jì)明年上半年將正式獲得采用。另外，由于NAND價(jià)格已觸底，群聯(lián)目前已看到來自大陸的模組與智能手機(jī)客戶需求增強(qiáng)，部分客戶甚至已接受了30%至35%的價(jià)格上漲。

 

另外，天風(fēng)國(guó)際分析師郭明錤發(fā)文稱，繼三星在8月份漲價(jià)后，美光也自9月開始調(diào)漲NAND Flash晶圓合約價(jià)約10%，將有助于改善美光下半年獲利。

 

郭明錤分析稱，DRAM方面，美光可望最快自4Q23/1Q24開始受益于三個(gè)趨勢(shì)，包括英特爾新平臺(tái)Meteor Lake加速DDR5滲透率增長(zhǎng)、AI服務(wù)器強(qiáng)勁需求推升HBM出貨，以及品牌與處理器廠在設(shè)備上推廣LLM有利于DDR/LPDDR規(guī)格升級(jí)。

 

8月初，業(yè)內(nèi)傳出消息稱，三星已通知客戶，打算將512Gb NAND Flash晶圓的報(bào)價(jià)提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的價(jià)格上漲了約15%。

 

而有報(bào)道指出，國(guó)內(nèi)的NAND Flash模組廠8月也已暫停報(bào)價(jià)及接單，將配合原廠（三星）報(bào)價(jià)調(diào)高8~10%。此舉將有望拉動(dòng)NAND Flash價(jià)格逐步回升到制造成本線。

 

9月3日，TrendForce市調(diào)機(jī)構(gòu)報(bào)告指出，近期NAND Flash現(xiàn)貨市場(chǎng)顆粒報(bào)價(jià)受到晶圓合約價(jià)成功拉漲消息帶動(dòng)，部分品項(xiàng)出現(xiàn)較積極詢價(jià)需求。

 

據(jù)TrendForce了解，主要起因于8月下旬NAND Flash原廠進(jìn)一步與部分中國(guó)指標(biāo)模組廠議定新一筆晶圓訂單，并成功拉抬512Gb晶圓合約價(jià)，漲幅約10%，其他原廠亦跟進(jìn)將同級(jí)產(chǎn)品價(jià)格提升，顯現(xiàn)原廠不愿再低價(jià)成交，從而帶動(dòng)晶圓現(xiàn)貨市場(chǎng)近期出現(xiàn)短期漲勢(shì)。