據韓媒報道，三星和臺積電發展3nm制程時存在某些問題，兩家公司仍難以確保良品率（良品占總產量的比例）超過60%，尚未達到市場所期望的良率。

 

此前，有消息稱，三星電子3nm良率超過60%，已成功交付中國客戶。但就這款芯片而言，其工藝并不包括邏輯芯片的SRAM（靜態隨機存取存儲器，負責臨時存儲數據的關鍵部件）。因此，這并不能被認為是完整的3nm工藝。

 

 

GAA是指一種技術，其中柵極圍繞構成半導體的晶體管中電流流過的通道的四個側面。柵極是控制電流的器件，與溝道的接觸面越多，數據處理速度和功率效率就越高。相比于FinFET僅覆蓋溝道的三個側面，覆蓋全部四個側面自然增加了工藝難度。

 

據悉，三星電子先于臺積電開始量產3nm GAA，但為了吸引大客戶，必須保證一定的良率并建立量產體系。一位熟悉三星電子的人士表示，“估計三星電子最新的3nm工藝目前的良率仍在50%左右”，并補充道，三星想要贏得高通、甚至是自己公司的LSI（芯片組和調制解調器）部門等主要廠商的3nm移動芯片訂單，明年需要達到至少70%的良率。同時，像高通這樣的公司必須為這批晶圓支付全價，包括有缺陷的晶圓。

 

這也表示，如果三星無法滿足良率要求，那么高通下一代旗艦芯片，很可能不會選擇三星。