1月11日，全球半導體解決方案供應商瑞薩電子與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm宣布雙方已達成最終協議，根據協議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元（約為24.08億人民幣）。

 

瑞薩電子表示，此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導體的下一代關鍵材料）的內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業務范圍。

 

隨著碳中和的基石需求逐漸增加，對高效電源系統的需求也在增加。為了應對這一趨勢，相關產業正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的寬禁帶（WBG）材料過渡。

 

這些先進材料比傳統硅基器件具備更廣泛的電壓和開關頻率范圍。為了借助這一勢頭，瑞薩宣布建立一個內部SiC生產線，并簽署了一份為期10年的SiC晶圓供應協議。

 

據悉，瑞薩電子的目標是利用Transphorm在GaN方面的專業知識進一步擴展其WBG產品組合，GaN是一種新興材料，可實現更高的開關頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。

 

這些優勢使客戶的系統具有更高的效率、更小、更輕的結構以及更低的總體成本。也因此，根據行業研究，GaN的需求預計每年將增長50%以上。

 

瑞薩電子將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及計算、能源、工業和消費應用。

 

 

業內資深人士表示：“瑞薩這兩年開始大規模投資寬禁帶半導體，碳化硅方面已經和Wolfspeed簽訂了長期的材料供應協議，并計劃在2025年開始量產碳化硅功率半導體。氮化鎵方面，其實Transphorm早有整并或出售計劃，該公司擁有豐富的功率氮化鎵技術積累，且其晶圓廠就在日本，因此瑞薩選擇收購是個非常不錯的選擇。”

 

Transphorm董事會已一致批準最終協議，并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準合并。在簽署最終協議的同時，持有Transphorm約38.6%已發行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協議以支持本次交易。

 

該交易預計將于2024年下半年完成，但需獲得Transphorm股東的批準、監管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。