路透社消息，為了在生產用于人工智能的高端芯片的競爭中迎頭趕上，三星電子計劃使用競爭對手SK海力士（SK Hynix）倡導的芯片制造技術。

 

 

隨著生成式人工智能的日益普及，對高帶寬內存（HBM）芯片的需求不斷增長。三星卻并未能像SK海力士和美光科技一樣，與人工智能芯片領導者Nvidia達成HBM供應交易。

 

三星在競爭中落后的原因之一是其決定堅持使用稱為非導電薄膜（NCF）的芯片制造技術，這會導致一些生產問題，而海力士則改用大規模回流模制底部填充（MR-MUF）方法來解決NCF的弱點。

 

直接了解此事的消息人士稱，三星最近發布了用于處理 MUF 技術的芯片制造設備的采購訂單。

 

“三星必須采取一些措施來提高其 HBM（生產）產量......采用 MUF 技術對三星來說放下驕傲，因為它最終遵循了 SK 海力士首先使用的技術，”一位消息人士表示。

 

分析師表示，三星的 HBM3 芯片生產良率約為 10-20%，SK 海力士的HBM3 生產良率約為60%-70%。

 

一位消息人士透露，三星已與包括日本長瀨在內的材料制造商進行談判，以采購MUF材料。該消息人士還補充道，由于三星需要進行更多的測試，使用MUF的高端芯片最早要到明年才能大規模生產。

 

消息人士還表示，三星計劃在其最新的HBM芯片中同時使用NCF和MUF技術。