3 月 14 日，英飛凌發布公告稱，其通過子公司英飛凌奧地利科技股份有限公司（Infineon Technologies Austria AG）對英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、英諾賽科美國公司（Innoscience America, Inc）及其附屬公司（以下簡稱：英諾賽科）提起訴訟。

 

 

英飛凌正在尋求永久禁令，以防止侵犯英飛凌擁有的與氮化鎵 (GaN) 技術相關的美國專利。該專利權利要求涵蓋了GaN功率半導體的核心方面，其中包括可實現英飛凌專有 GaN 器件可靠性和性能的創新。該訴訟已向加利福尼亞州北區地方法院提起。

 

“氮化鎵功率晶體管的生產需要全新的半導體設計和工藝”，英飛凌功率與傳感器系統部總裁 Adam White 說道。“憑借近二十年的 GaN 經驗，英飛凌可以保證相應終端產品實現最高性能所需的卓越品質。我們大力保護我們的知識產權，從而為所有客戶和最終用戶的利益行事。” 數十年來，英飛凌一直投資于與 GaN 技術相關的研發、產品開發和制造專業知識。英飛凌將繼續捍衛其知識產權并保護其投資。”

 

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優勢。

 

2023年5月，美國宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corp）向加州中區聯邦地區法院和美國國際貿易委員會（ITC）提起訴訟，指控英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下簡稱“英諾賽科”）侵犯了宜普專利組合中的四項專利。

 

四項專利涉及宜普獨家的增強型氮化鎵功率半導體器件的設計和制造工藝的核心環節。宜普要求獲得損害賠償并對英諾賽科下達禁令。

 

據悉，英諾賽科成立于2015年12月，公司采用IDM全產業鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力。主要產品涵蓋從低壓到高壓（30V-700V）的氮化鎵功率器件。