美光近日宣布將在日本廣島縣建設一座新的DRAM芯片制造工廠，并引進極紫外光刻（EUV）設備，最快將于2027年底量產先進DRAM。

 

 

新廠的總投資額預計在6000億至8000億日元（約合38億至51億美元），2026 年初動工。這一投資將用于建設一個先進的制造設施，其中包括安裝EUV設備。

 

美光原本早就有在日建廠的計劃，最初的計劃曾預計推動新廠在2024年便投入運營。但此前，由于市場狀況不佳，這一建廠計劃一度遭到擱置。而如今，隨著芯片市場回暖，尤其是人工智能熱潮下DRAM芯片需求火爆，美光科技又重新推動了這一計劃。

 

廣島廠是2013年美光并購日本DRAM大廠爾必達（Elpida）后納入的設施，有超過4000名工程師和技術人員。

 

美光公司日本負責人Joshua Lee去年12月曾表示，美光位于日本廣島的工廠將于2025年生產最先進的存儲芯片“1γ（Gamma）DRAM”。此外該廠也將生產生成式AI用高帶寬存儲器（HBM）。

 

2023 年10 月日本經濟產業省宣布，補助美光廣島廠最高1920億日元（約合13億美元）。

 

美光稱包含廣島廠，數年內會投資日本最高5000億日元。美光在日本的多個工廠，是其研發路線圖和大規模生產的核心，用于美光在其產品線中的尖端 DRAM技術。