業界消息，三星電子設備解決方案(DS)部門自7月4日起進行了組織重組，旨在成立新的HBM開發團隊，加強其技術領先地位并提高競爭力。

 

 

新的HBM 開發團隊是該公司半導體部門組織改革的一部分，旨在鞏固研發職能并加強研究工作，高效能DRAM 設計專家副總裁Sohn Young-soo 將領導團隊。

 

此舉凸顯了三星致力于加強其HBM 研發結構的承諾，HBM 是一種需求量很大的高效能DRAM，特別是對于Nvidia 的圖形處理單元，這是人工智能運算的關鍵。

 

去年2月，三星電子在業界率先采用硅通孔電極（TSV）技術將24Gb（千兆位）DRAM芯片堆疊至12層，實現了業界最大容量36GB（千兆位）HBM3E 12層。目前，HBM3E 8層和12層產品正在接受NVIDIA的質量測試。

 

為了鞏固自己的地位，先進封裝（AVP）開發團隊和設備技術研究中心也將進行重組。重組現有AVP業務團隊的AVP開發團隊由部門經理全英賢直接領導。目的是搶占2.5D、3D等新封裝技術。

 

5月21日，三星電子宣布前副董事長取代了半導體業務負責人，并正在改善其氛圍以確保超級競爭優勢。

 

近期，三星還開始招聘約800個職位的經驗豐富的員工，包括HBM等下一代DRAM解決方案產品的控制器開發和驗證。

 

過去幾年，三星電子的晶片業務一直受困于銷售低迷，去年營業虧損超過15 兆韓元(110 億美元)。從2022 年第四季到2023 年第四季度，該公司連續五季出現營運虧損。

 

然而，由于記憶體晶片價格上漲，2024 年第一季晶片業務反彈，實現營業利潤1.91 兆韓元，銷售額23.1 兆韓元。