近日，中國存儲器大廠長江存儲（YMTC）將美光告上美國加州法院，指控美光侵犯其11項專利，涉及3D NAND Flash及DRAM產品。長江存儲還要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權的存儲器產品，同時支付專利使用費。

 

 

長江存儲指出，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM產品（Y2BM系列） ，侵犯長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。

 

美國商務部于2022年底將長江存儲列入實體清單，導致該公司無法從美國公司獲得先進半導體設備來制造領先的128 層及以上的3D NAND Flash 器件。

 

去年，該公司面臨更大的問題，美國商務部禁止銷售可用于制造超過128 個3D NAND 的晶圓廠工具和技術。

 

盡管一直受到美國政府的打壓，長江存儲仍繼續努力透過原有的設備，及大陸國產設備發展3D NAND Flash。該公司的Xtacking 3.0產品依然在奮力的維持生產，并正在開發新一代的Xtacking 4.0架構的3D NAND Flash。

 

并且在今年早些時候，長江存儲宣布，已設法將3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水準，這大大改善了廉價SSD的特性。此外，長江存儲還在開發基于Xtacking 4.0架構的晶片，最快可能會在今年底出現，層數超過了300層。