STP24N60DM2產品品牌

　　意法半導體（STMicroelectronics）是一家知名的半導體公司，總部位于瑞士日內瓦和法國巴黎。該公司成立于1987年，是全球領先的集成電路制造商之一。

　　意法半導體致力于設計、制造和銷售各種半導體解決方案，涵蓋微控制器、模擬芯片、功率管理芯片、傳感器以及存儲器等產品。這些產品廣泛應用于消費類電子、工業(yè)自動化、汽車電子、通信設備等領域。

　　作為一家全球性的企業(yè)，意法半導體在亞洲、歐洲和美洲都設有研發(fā)中心和生產基地，并擁有龐大的銷售網絡和客戶服務團隊。該公司以其豐富的技術積淀和創(chuàng)新能力而聞名，并在全球范圍內與眾多行業(yè)領先企業(yè)建立合作關系。

　　綜上所述，意法半導體是一家跨國的知名半導體公司，在集成電路領域具有廣泛影響力并持續(xù)推動行業(yè)創(chuàng)新與發(fā)展。

STP24N60DM2產品參數(shù)

　　產品參數(shù)

　　FET 類型N 通道技術MOSFET（金屬氧化物）

　　漏源電壓（Vdss）600V25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)18A（Tc）

　　驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）200 毫歐 @ 9A，10V

　　不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）29nC @ 10V

　　Vgs（最大值）±25V不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）1055pF @ 100V

　　功率耗散（最大值）150W（Tc）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）

　　安裝類型通孔供應商器件封裝TO-220

STP24N60DM2產品手冊

　　Electrical ratings Table 2. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VGS Gate-source voltage ± 25 V ID Drain current (continuous) at TC = 25 °C 18 A ID Drain current (continuous) at TC = 100 °C 11 A IDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Drain current (pulsed) 72 A PTOT Total dissipation at TC = 25 °C 150 W dv/dt (2) 2. ISD ≤ 18 A, di/dt ≤ 400 A/μs; VDS peak < V(BR)DSS, VDD=400 V. Peak diode recovery voltage slope 40 V/ns dv/dt(3) 3. VDS ≤ 480 V MOSFET dv/dt ruggedness 50 V/ns Tstg Storage temperature - 55 to 150 °C Tj Max. operating junction temperature Table 3. Thermal data Symbol Parameter Value Unit D2PAK TO-220 TO-247 Rthj-case Thermal resistance junction-case max 0.83 °C/W Rthj-pcb Thermal resistance junction-pcb max(1) 1. When mounted on 1 inch² FR-4, 2 Oz copper board 30 °C/W Rthj-amb Thermal resistance junction-ambient max 62.5 50 °C/W Table 4. Avalanche characteristics Symbol Parameter Value Unit IAR Avalanche current, repetitive or not repetitive (pulse width limited by Tjmax ) 3.5 A EAS Single pulse avalanche energy (starting Tj =25°C, ID= IAR; VDD=50) 180 mJ