2N7002ET1G產品品牌-產品參數-產品價格
2024-09-26 13:55:101
2N7002ET1G產品品牌
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力于推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效聯接、感知、電源管理、模擬、邏輯、時序、分立及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、醫療、航空及應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。
2N7002ET1G產品參數
|
產品分類
|
MOSFETs |
|
|
封裝/外殼
|
SOT-23 |
|
|
零件狀態
|
Active |
|
|
系列
|
- |
|
|
是否無鉛
|
Yes |
|
|
晶體管類型
|
N溝道 |
|
|
安裝類型
|
SMT |
|
|
工作溫度
|
-55℃~+150℃ |
|
|
濕氣敏感性等級 (MSL)
|
1（無限） |
|
|
漏源電壓(Vdss)
|
60V |
|
|
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值）
|
2.5歐姆@240mA，10V |
|
|
閾值電壓
|
2.5V@250µA |
|
|
連續漏極電流
|
260mA |
|
|
配置
|
單路 |
|
|
原始制造商
|
ON Semiconductor |
|
|
原產國家
|
America |
|
|
認證信息
|
RoHS |
|
|
長x寬/尺寸
|
2.90 x 1.30mm |
|
|
高度
|
1.11mm |
|
|
引腳數
|
3Pin |
|
|
存儲溫度
|
-55℃~+150℃ |
|
|
元件生命周期
|
Active |
|
|
極性
|
N-溝道 |
|
|
擊穿電壓
|
60V |
|
|
柵極源極擊穿電壓
|
±20V |
|
|
反向傳輸電容Crss
|
2.9pF |
|
|
充電電量
|
0.81nC |
|
|
功率耗散
|
300mW |
2N7002ET1G產品價格
品牌 : DIODES(美臺)
封裝 : SOT23
包裝 : 編帶
重量 : 0.028g
描述 : 場效應管(MOSFET) 370mW 60V 115mA 1個N溝道 SOT-23
梯度
內地(含稅)
香港
1+
￥0.522
--
200+
￥0.174
--
1500+
￥0.109
--
產品價格僅參考價，具體價格請咨詢客服
熱門物料
型號庫存價格
熱門資訊
無數據
