irf540n數據手冊

以下是 IRF540N MOSFET 的一些關鍵參數和特性，通常在其數據手冊中可以找到：

IRF540N 主要特性
類型: N 通道 MOSFET
V_DS（漏極-源極最大電壓）: 100V
I_D（連續漏極電流）: 33A（在 T_A = 25°C 時，具體取決于散熱條件）
R_DS(on)（漏極-源極開啟電阻）: 大約 0.044Ω（在 V_GS = 10V 時）
V_GS(th)（門極閾值電壓）: 通常在 2V 到 4V 之間
P_D（功率耗散）: 大約 94W（具體取決于散熱管理）
封裝類型: TO-220
工作靜態特性
最大門極-源極電壓 (V_GS): ±20V
最大結溫 (T_j): 175°C
存儲和操作溫度范圍: -55°C 到 170°C
應用領域
DC-DC 轉換器
電機驅動
開關電源
放大器
數據手冊獲取
要獲取 IRF540N 的完整數據手冊，包括所有電氣特性和典型應用電路，您可以訪問制造商的網站（如 Vishay 或其他相關電子元件供應商）或搜索 "IRF540N datasheet"。數據手冊將包含詳細的電氣特性、功率特性及推薦電路設計等信息。

irf540n場效應管參數

以下是 IRF540N 場效應管的主要參數：

 IRF540N 場效應管參數

- 類型: N 通道 MOSFET
- V_DS（漏極-源極最大電壓）: 100V
- I_D（連續漏極電流）: 33A（在 T_A = 25°C 時）
- I_DM（脈沖漏極電流）: 110A
- R_DS(on)（漏極-源極開啟電阻）: 
  - ≈ 0.044Ω（在 V_GS = 10V 時）
- V_GS(th)（門極閾值電壓）: 
  - 通常在 2V 到 4V 之間
- 最大門極-源極電壓 (V_GS): ±20V
- P_D（功率耗散）: 94W（在適當散熱的情況下）
- T_j（結溫）最大值: 175°C
- 存儲和操作溫度范圍: -55°C 到 170°C

 其他參數

- 輸入電容 (C_iss): 1350pF（典型值）
- 輸出電容 (C_oss): 250pF（典型值）
- 反向的體二極管: 具有內建的體二極管，反向恢復時間為 75ns（典型值）

 應用領域

IRF540N 通常用于以下領域：
- DC-DC 轉換器
- 電機驅動
- 開關電源
- 放大器

 注意事項

在設計電路時，請確保參考 IRF540N 的完整數據手冊，以了解其全面的電氣特性和應用電路。