ANHI安海半導體

ANHI 安海半導體是一家由具備功率半導體行業超 20 年經驗團隊組建的高新技術企業，總部位于濟南，在上海、成都、廣州、長沙及臺灣等地設立了全資子公司和研發中心. 公司總投資 2.195 億人民幣，富士康旗下基金公司為主要投資機構. 公司專注于高性能模擬及功率半導體技術與產品的開發，具備強大的工藝技術和器件開發能力，擁有諸如臺積電等國際一流晶圓廠資源和封裝測試廠資源，以及強大的銷售渠道和市場開拓能力，致力于打破國際廠商壟斷，實現該領域國產化. 安海半導體的主營產品包括 SGT MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、SJ MOSFET 等功率半導體器件. 其中 SGT MOSFET 采用先進技術，實現低導通和開關損耗，工作結溫范圍廣；IGBT 產品工作頻率覆蓋 20-50KHZ，具有靜動態損耗低、短路耐受力強等特點；SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶功率半導體產品，具有高頻率、高功率、高效率、低導通電阻等優點；SJ MOSFET 則采用多層外延技術，性能穩定，抗浪涌能力強. 其產品應用領域廣泛，涵蓋新能源汽車、充電樁、工業電源、光伏逆變、儲能電源、風力發電、軌道交通、電子產品充電器、LED 照明、車載 OBC、電機、BMS 等多個領域，為推動相關產業的發展提供了有力支持.