Transphorm是一家成立于2007年的全球領先半導體公司,總部位于美國加利福尼亞州戈列塔市,專注于高壓電力轉換應用的氮化鎵(GaN)技術。作為GaN革命的先鋒,Transphorm致力于設計和制造高性能、高可靠性的GaN器件,其產品在電力電子領域具有顯著優勢。公司采用獨特的垂直集成業務模式,涵蓋從設計到制造、設備及應用支持的各個環節,確保產品質量與性能。Transphorm擁有超過1000項專利,是行業內唯一符合JEDEC和AEC-Q101標準的GaN FET供應商。其產品切換速度比硅快4倍,功率密度提高40%,系統成本降低20%。隨著市場對高效能電力解決方案需求的增長,Transphorm正處于最佳位置,以支持未來電力電子技術的快速發展。